광원으로 이온빔을 사용하는 노광장치. 광폭(broad)의 빔과 마스크를 이용한 일괄이온빔 리소그래피와 집속이온빔을 이용한 직접묘화법이 있다. 전자선에 비하여 질량이 크고, 축적에너지 밀도를 크게 할 수 있다는 등의 이점이 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
웨이퍼회전 오차 - wafer rotation error
노광할 때에 웨이퍼가 회전하면서 발생하는 정렬의 회전방향 오차.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
웨이퍼 스테이지 - wafer stage
웨이퍼를 노광위치로 이동시켜 위치를 결정하는 기구로써, XY평면내의 이동과 위치를 결정하는 XY스테퍼와, Z방향의 위치결정(focusing), Z축 주변의 회전위치결정(웨이퍼 θ) 및 X축과 Y축 주면의 회전위치결정(tilting)을 행하는 미동스테이지의 양스테이지를 포함하는 기구.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
스텝식 투영노광 장치 스테퍼 - stepping projection aligner stepper
마스크 패턴(레티클 패턴)의 투영상에 대하여 웨이퍼를 반복 스테핑(stepping)하여 노광하는 투영노광장치. 스텝식 투영노광장치의 총칭을 스테퍼라 한다. 사용하는 노광광원에 의해, g선 스테퍼, ⅰ선 스테퍼, 엑시머레이저 스테퍼로 구별하여 부르는 경우도 있다.