통신용디바이스 측정에 각종 외란(disturbance)에 대한 에러의 발생빈도fmf 검사. 결과는 10-7 등으로 표시된다.
반/디 용어집사공정혼합형 디버그장치
빔 안정성 - beam stability
이온빔을 발생시킨 상태에서의 장치의 안정성을 나타내는 지표. 운전자가 장치를 조작하지 않은 상태에서 빔전류가 일정시간 변하는 양(비율)로 나타낸다.
반/디 용어집이온 주입장치웨이퍼처리공정
블랭킹전극 - blanking electrode
전자빔을 고속에 온(on), 오프(off)하기 위한 정전편향기. 전자빔을 막기 위한 개구판(또는 차광판)과 한쌍으로 이용되고 있다.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
성장속도 - growth rate
웨이퍼 위에 단위시간당 성장한 막의 두께. 결정이 성장하는 것을 의미하기 때문에, 에피택셜성장법에서 사용된다.
반/디 용어집에피택셜 성장장치웨이퍼처리공정
배킹 플레이트 - backing plate
스퍼터링방법에 있어서, 음극에 타겟을 설치할 때 사용되는 타겟지지판. 마그네슘 스퍼터링장치와 같은 큰 전류밀도의 방전을 사용할 경우, 타겟 자신의 온도상승을 방지하기 위해 타겟을 배킹 플레이트에 장착해, 이것으로 냉각시킨다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
소음계 - noise meter
무지향성 마이크로폰에 모인 소리를, 인간의 귀와 유샇나 주파수특성을 갖는 청각보정회로(보통 A, B, C의 3특성을 갖는다.)로 처리하여, 인간의 귀로 느끼는 소리의 크기로 근사시켜 표시하는 계기.
반/디 용어집청정실설비․환경공정
반사율 - reflectance reflectivity
입사광 강도에 대한 반사광 강도의 비율. 스테퍼 전사(轉寫)시에 마스크 면에서의 반사광인 미광(迷光, stray light)이 전사된 패턴에 영향을 미치는 것을 막기 위해, 전사광의 파장(g선, i선 등)에 대해 각각 반사율이 낮은 저반사 코팅(coat)층을 구비한 구조(2층, 3층)의 마스크가 이용되고 있다.
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
반데어포우법 - Van der Pauw method
전극 a→b 사이의 전류 Iab를 흘려줄 때의 전극 c→d 간의 전압 Vcd, 또는 b→c 사이에 전류를 Ibc를 흘려줄 대의 전극 d→a 사이의 전압 Vda를 측정하여, 저항률(ρ), 이동도(μ)를 계산하여 구하는 방법. 홀효과 및 비저항측정법의 일종, 시료모양에 상관없이 측정하는 방법.
반/디 용어집물성검사장치검사
상관이중 샘플링 - correlative double sampling
이미지센서의 출력회로에서 발생하는 리셋 노이즈, 소스폴로어(source follower) 1/f 노이즈, 히트노이즈(heat noise)를 제거하기 위한 방법. 그림 중의 Ⓐ점과 Ⓑ점을 샘플링하여 이 차이를 출력하는 회로방식을 말한다.
