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스핀 척 - spin chuck

레지스트 도포 등에 있어서, 웨이퍼를 회전시키는 지지체. 보통 진공흡착하여 웨이퍼를 고정한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 도포장치
불소산첨가 순수 - HF added pure water

5～10ppm의 불소산을 첨가한 순수. 불소산 산화막제거처리한 후 웨이퍼린스를 사용하면, 단순하게 순수만 사용한 것과는 달리 린스 할 때와 공기 중에 보관할 때, 자연산화막 성장을 현저하게 억제할 수 있다. 또 불산의 살균력에 의해 순수(純水)시스템에서의 박테리아 발생을 방지할 수 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
빔 에너지 이온에너지 - beam energy ion energy

이온빔을 구성하는 이온이 갖는 운동에너지. 특히, 타겟에 충돌하는 이온빔이 갖는 운동에너지를 가리키는 경우가 많다. 이 경우, 이온은 빔에너지로 시료속에 주입된다.

반/디 용어집 이온 주입장치 웨이퍼처리공정
산소도너 - oxygen donor

쵸크랄스키법으로 성장한 Si 결정을 결정성장직후의 냉각시킬 때, 450℃전후의 열처리에서 발생하는 산소도너. 결정의 저항률이 변해버린다.

반/디 용어집 열처리용어 웨이퍼제공정
밑정반 - lower lapping plate

가공물을 싣고 회전하는 도넛모양의 원판. 정반받침에서의 회전을 정반에 전달하기 위한 회전정지용 구멍이 가공면의 반대쪽에 뚫려 있다.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 래핑장치-하드기능
청정도 청정도레벨 - cleanliness cleanliness level

청정한 정도. 공기의 일정한 부피속에 포함된 입자오염률의 크기별 수로 나타낸다. 또, 급이 매겨진 청정도의 정도를 청정도레벨이라 표시한다.

반/디 용어집 청정실 설비․환경공정
장력증강 - blade retension

장치 중인 블레이드의 장력을 높이는 작업.

반/디 용어집 기계가공 웨이퍼제공정
정(正)본드 - normal bonding

칩 쪽의 본딩패트를 제1 본드, 외부인출용 단자(리드)쪽을 제2본드로 한다. 보통 실시되고 있는 와이어본딩방법.

반/디 용어집 조립공정 본딩
정반회전수 - rotating speed

가공물을 가공하는 정반의 회전수. 보통, 한 개 모터구동의 경우, 밑정반의 회전수(rpm)으로 표시한다.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 래핑장치-하드기능

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

CFL수 - Courant - Friedrichs...

공칭 응력 - nominal stress

최대 전단응력(트레스카) 이론 - maximum...

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불소산첨가 순수 - HF added pure water

빔 에너지 이온에너지 - beam energy ion energy

산소도너 - oxygen donor

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청정도 청정도레벨 - cleanliness cleanliness level

장력증강 - blade retension

정(正)본드 - normal bonding

정반회전수 - rotating speed

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