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미세피치 - fine pitch

내측리드, 외측리드 또는 칩상의 패드의 배열 간격이 아주 작음을 표현하며, 일반적으로는 패드의 배열피치가 70μm이하인 경우를 말함

반/디 용어집 조립공정 기본․공통
불화탄소회수장치 - fluoro carbon recovery system

불화탄소류의 흡착제에 흡착시켜, 탈리, 액화, 정제 등을 실시하는 장치. 전체를 그 자리에서 처리하는 온사이트형과, 흡착제에 농축된 것을 회수하여 각각의 처리장소에서 후공정으로 처리하는 오프사이트형이 있다.

반/디 용어집 가스 설비․환경공정
삼층테이프 - three layer tape

테이프캐리어에서 테이프의 구조가 배선용도체, 지지체로써의 수지 및 접착제층의 세 층으로 이루어진 것.

반/디 용어집 조립공정 본딩
센트럴리티 - centralty

기판 중심과 다이 배열의 중심과의 부정합. 오프센터(off-center)라고도 부른다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
서비스영역 - service area

반도체장치본체가 설치되어 있는 구역. 장치에 공급되는 전기, 물 약품 등, 또는 배수, 배기 등의 배관, 덕트(duct)류가 설치된 백업영역도 있으며, 또 메인터넌스를 실시하는 작업영역도 있다. 웨이퍼가 이 영역의 공기에 직접 접촉하지 않기 때문에, 비교적 저청정도로 설정된다.

반/디 용어집 청정실 설비․환경공정
미분 - powder

연마재 중 입자크기가 5～80㎛인 것.

반/디 용어집 기계가공 웨이퍼제공정
스퍼터링 장치 - sputtering system

진공 중에 방전용 가스를 충전하고, 전극 간에 전압을 걸어주면, 글로우방전이 발생한다. 이 때, 플라즈마 중에 양이온이 음극의 타겟 표면에 충돌하여, 타겟원자가 튀어 나온다. 이런 스퍼터링현상을 이용하여, 박막을 웨이퍼 표면에 형성하는 막형성장치. 방전용 가스로는 Ar등이 사용된다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
센더 - sender

처리 전 마스크, 웨이퍼 등의 기판을 수납하는 카세트를 탑재해, 기판을 처리장치로 이송하는 기구

반/디 용어집 기본․공통 웨이퍼처리공정
실리카계 - silica analyzer

초순수 중의 미량이온 모양의 실리카를 자동적으로 측정하는 계기. 몰리브덴산암모늄과 주석산, 수산 등의 유기물 및 1-아미노 2-나프톨 4-술폰산과의 반응으로 생성된 케이몰리브덴블루 또는 몰리브덴산암모늄과 황산 혹은 수산화칼륨과의 반응으로 생성되는 케이몰리브덴이에로의 발색을 흡광도로 측정한다. 측정범위는 0부터 10～50㎍SiO2/l이다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

탄성계수 - elastic modulus

프란틀 수 - Prandtl number

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

미세피치 - fine pitch

불화탄소회수장치 - fluoro carbon recovery system

삼층테이프 - three layer tape

센트럴리티 - centralty

서비스영역 - service area

미분 - powder

스퍼터링 장치 - sputtering system

센더 - sender

실리카계 - silica analyzer

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