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CAE 입문자도 쉽게 이해할 수 있는 '알기 쉬운 기술 용어집'

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성형렌즈 - shaping lens

가변성형빔 방식의 전자광학계에 있어서, 위쪽의 성형 개구(aperture)의 상을 아래쪽의 성형개구 위에 결상(imaging)하기 위한 전자(電子)렌즈

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
스케줄데이터 - schedule data

전자빔 묘화장치에 마스크를 묘화할 때에 설정하는 다이(die)배치․사용데이터․전류치․묘화순서 등의 데이터.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
불량마크검사 - fail - mark inspection

프로버에 있어서, 불량식별을 위하여 칩에 부착된 불량마크의 크기와 위치를, 화상처리장치를 사용하여 검사하는 기능.

반/디 용어집 사공정 핸들링
묘화속도 - writing speed

단위시간당 묘화할 수 있는 면적으로 표시한다. 묘화 방식, 빔 조사량, 묘화 모드, 묘화 패턴 등에 의해 좌우된다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
스프레이 현상장치 - spray developer

레지스트를 노광하고 현상할 때, 현상액을 펌프등으로 가압(加壓)하여, 펌프 앞부분의 노즐로 분무(噴霧)한 액을 웨이퍼에 배출시켜 현상하는 장치. 항상 새로운 액이 레지스트의 표면에 공급되기 때문에, 현상시간이 단축된다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 레지스트 처리
쓰루더월구조 - through the wall structure

프로세스영역과 서비스영역을 구분하는 벽을 관통하여 설치할 수 있는 반도체제조장치의 구조. 웨이퍼의 반송 이 외에는 전부 서비스영역쪽에 가능한 구조로 되어있다. 베이(bay)시스템에 적합하며, 쉽고, 많이 이용되는 박막형성장치, 이온주입장치, 건식식각장치 등이 이 구조를 채용하고 있다.

반/디 용어집 가스 설비․환경공정
식각 비율 - etching rate

식각(etching)에 의해 단위시간에 용해된 차광막․레지스트막 등의 두께

반/디 용어집 마스크 블랭크 제조 마스크제조공정
빔형상 - shape of beam

레이저빔의 단면모양. TEA CO2 레이저는 방전의 단면모양이 직사각형에 가까운 것에서 이 모양을 가리키는 것도 있다. 일반적으로 마킹광학계 안의 렌즈, 원기둥렌즈 등을 이용하여 모양을 변화시켜 이용한다.

반/디 용어집 조립공정 마킹
산소밀도 모니터링 - oxygen concentrat - ion monitor

공정파라메타의 하나이며, 챔버 안의 산소농도를 측정하는 기능. 가열분위기에서 잔류하는 산소농도를 조절하기도 하고, 원하는 산소농도에서 열처리하는 경우에 이용된다.

반/디 용어집 어닐장치 웨이퍼처리공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

탄성계수 - elastic modulus

프란틀 수 - Prandtl number

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

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불량마크검사 - fail - mark inspection

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스프레이 현상장치 - spray developer

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식각 비율 - etching rate

빔형상 - shape of beam

산소밀도 모니터링 - oxygen concentrat - ion monitor

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