스핀모터를 시동할 때부터 원하는 회전수에 도달하기까지의 과도적 특성. 보통, 회전가속도[rpm/sec](또는rad/s2)로 표시한다
반/디 용어집웨이퍼처리공정도포장치
붕소도핑 SiO2 - SiO2 film fluorine doped silicon dioxide
붕소를 첨가한 실리콘 산화막. 층간절연막으로 쓰이는 저유전체재료인, TEOS-C2F6계와 TEFS** 등의 소스를 이용하여 플라즈마CVD법으로 형성된다. **tri ethoxy fluoro silane
반/디 용어집CVD 장치웨이퍼처리공정
비경면웨이퍼 - non mirror wafer
거울면(경면)마무리를 하지 않은 웨이퍼, 애즈컷웨이퍼(as-cut wafer), 랩웨이퍼(lapper wafer), 식각웨이퍼(etched wafer)의 총칭.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼제공정
상향류여과기 - up - flow filter
윗방향으로 물이 흐르도록 하여 청정화하는 여과기. 하향류에 비해, 탁질의 포착량이 많고, 고속으로 여과할 수 있는 등의 장점이 있다.
반/디 용어집사공정에싱
연마입자 - abrasive grains
연삭제, 연마제의 입자.
반/디 용어집기계가공웨이퍼제공정
미량이온 - trace level ion
초순수장치로 제거되지 않고, 초순주 중에 미량으로 존재하는 Na+, K+,Fe3+, Cu2+, Zn2+ 등의 양이온 및 Cl- 등의 음이온. 이온량으로써는, ppt 레벨의 분석하한값을 구하여, 양이온을 측정하는 프레임리스원자흡광법, ICP-MS 등을 이용하고, 음이온의 측정에는, 이온크로마토그래피법을 이용한다.
