1기압(상압)부근 열산화막을 형성하는 장치. 산화방법에는 건식산화(건조산소에 의한 산화), 습식산화(수증기산화), 수소연소산화 등이 있다. 반응관 및 히터의 배치방법에 따라 수평형 상압열산화장치. 수직형 상압열산화장치로 구분한다.
반/디 용어집산화장치웨이퍼처리공정
쓰루풋 - throughput
단위시간 내에 처리할 수 있는 마스크, 웨이퍼 등의 기판 수.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
슈무 플롯 - shmoo plot
IC특성해석의 방법의 하나. 둘 또는 세 개의 파라메터를 단계적으로 변화시켜, 각각의 파라메터에서의 버스 또는 필터를 어떤 심볼을 사용하여 도시하는 방법 또는 도시된 그림.
반/디 용어집기본․공통사공정
벌크 - bulk
일반적으로 덩어리의 총칭. 반도체공학에서는 반도체소자의 기판인 Si웨이퍼와 GaP웨이퍼 등의 소자를 만드는 표면층과 구별하기 위해, 표면에서 수10㎛이상의 내부를 말하는 경우가 많다.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼제공정
빔 확대기 - beam expander
레이저빔을 확대시켜 개구에 비춰주는 광학소자
반/디 용어집검사장치마스크제조공정
베이킹장치 - baking oven
마스크 블랭크에 레지스터를 도포한 후에 가열하는 장치인데, 대류식(convection)과 오토 플레이트 오븐(auto plate oven) 등이 있다.
반/디 용어집마스크 블랭크 제조베이킹장치
에지 린스 에지 클린 - edge bead remover E.B.R.
웨이퍼 표면의 끝부분이 각 공정에서 위치결정부 등과 접촉하는 경우, 레지스트의 결함 등에 의해 먼지가 생긴다. 이것을 막기 위해 웨이퍼 표면부의 레지스트를 용제로 제거하는 것. 보통 레지스트도포 때에 실시한다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정도포장치
번인보드 - burn - in board
번인챔버 내의 여러 개의 피측정디바이스를 수납하기 위한 보드.
반/디 용어집사공정에싱
에피택셜 성장장치 - epitaxial growth system
웨이퍼의 결정성과 같은 단결정층을 성장시키는 장치. 성장분위기에 의해, 분자선 에피택셜성장장치, 기상 에피택셜성장장치, 액상 에피택셜성장장치, 고상(固相) 에피택셜성장장치로 나뉜다. 재료 측면에서 볼 때, 웨이퍼와 성장층의 재료가 같은 경우(호모에피택셜) 및 웨이퍼와 성장층의 재료가 다른 경우(헤터로에피택셜)로 구분된다.
