일반적으로 실리콘웨이퍼는 에칭 양이 증가할수록 광택도가 커지게 된다. 이 때문에 실리콘웨이퍼에 대하여 다량의 에칭을 실시하는 것. 실리콘 제거량에 있어서 40㎛이상의 에칭을 할 경우를 가리키는 일이 많지만, 에칭액에 따라 다르다.
반/디 용어집웨이퍼제공정폴리싱
방사율보정 - emissivity correction
방사온도계에서 웨이퍼의 온도를 측정할 때, 측정값에 대하여 오차의 원인이 되는 측정점의 표면상태(막두께, 거칠음 등)에 의한 방사율의 변동을 보정하는 기구.
반/디 용어집어닐장치웨이퍼처리공정
빔전류밀도 - beam current density
단위면적당 전자빔의 전류량 전자빔의 집속반각을 α라 할 때, 빔전류밀도=휘도×πα2
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
슬로우벤트 소프트벤트 - slow vent soft vent
파티클이 발생하는 것을 방지하기 위해, 진공인 튜브를 대기압으로 바꾸는 공정에서, 컨덕턴스를 조여 느린 속도로 공기가 튜브 안에 들어오도록 하는 것.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
스탬핑 헤드 - stamping head
다이의 접합재료를 패키지에 전사(轉寫)한 툴 또는 기구.
반/디 용어집조립공정본딩
쌍정 - twin
두 개의 같은 결정이 특정한 면 또는 축에 관하여 대칭으로 배열되어 있는 결정상태. 쌍정에는 크게 두 개의 요소가 있어, 대칭조작이 어느 축에 관하여 180°의 회전인 경우(회전쌍정)과, 어떤 면(쌍정면)에 관하여 거울반사인 경우(반사쌍정)이다. 쌍정결정 중에서 두 개의 부분을 나누어 주는 경계면을 쌍정경계라고 한다.
반/디 용어집특성용어검사
복수 스테이션 동기시험 - multi - station synchro - nous probe test
두 대 이상의 테스트헤드를 갖는 테스트시스템에서 여러 장의 웨이퍼를 동시에 측정하는 경우에, 항상 각 웨이퍼의 동일 위치(location)의 칩을 동시에 시험하는 것.
반/디 용어집기본․공통사공정
부착입자오염 - surface contamination by particulate
물체의 표면이 입자에 의해 오염되는 것, 또는 오염된 상태. 물체표면에의 부유미립자의 부착은 정전기력(쿨롱의 힘), 중력, 브라운확산 등이 관여하지만, 2㎛이하의 미립자에는 오로지 정전기력 뿐이다.
반/디 용어집청정실설비․환경공정
실시간 구제판정기능 - real - time redundancy judgement function
테스트를 실행하는 중에, 실시간으로 용장회로에 부가된 메모리디바이스의 불량구제판정을 하는 기능
