온도, 하중 또는 이 둘을 가하고, 인가시간을 제어하여 와이어본딩하는 장치. 금속의 볼본딩에 사용된다.
반/디 용어집조립공정본딩
유리 기판 글래스기판 - glass substrate
평탄하게 연마된 판상의 유리로써, 금속박막이 형성되지 않은 상태의 포토마스크 제조용 기판. 소다(soda)․석회유리(limeglass)․알루미늄․폴리실리케이트 유리(polysilicate glass)․석영유리 등이 사용된다.
반/디 용어집마스크 블랭크 제조마스크제조공정
열원설비 - energy plant
공기조화설비. 위생설비, 유틸리티설비 등으로 냉각수, 냉수, 온수, 증기 등의 냉․온 열에너지를 공급하는 설비. 일반적으로 냉각탑, 냉동기, 보일러, 열교환기, 탱크, 펌프, 배관설비 등으로 구성되어 있다.
반/디 용어집청정실설비․환경공정
열CVD장치 - thermal CVD system
CVD반응의 여기에너지(excitation energy)로써, 열을 이용한 장치의 총칭. 열의 발생원으로써 저항가열방식과 적외선램프 가열방식이 있다. 반응실 안의 가스압력에 의해, 상압CVD장치와 저압CVD장치로 구분된다.
반/디 용어집CVD 장치웨이퍼처리공정
인식속도 - pattern recognition speed
화상인식장치가 화상처리명령을 받을 때부터 완료할 때까지 걸리는 시간
반/디 용어집조립공정기본․공통
외주면연삭장치 - chamfer grinding machine
웨이퍼의 외주(바깥둘레)연삭과 위아래의 면가공연삭을 실시하는 기계.
반/디 용어집기계가공웨이퍼제공정
자기장쵸크랄스키결정성장법 MCZ법 - magnetic Czochraski crystal growth method
자기장을 인가하여 용융액의 운동점성률을 높게한 상태에서 쵸크랄스키법으로 결정성장하는 방법. 자기장의 작용에 의해 용융액의 대류가 제어되므로 안정하게 결정을 성장시킬 수 있다. 또 실리콘 결정성장에서는 도가니재료인 석영유리(SiO2) 용융액의 반응 및 흐름이 제어되어 실리콘 결정중의 산소농도제어에 유효한 방법으로 되어 있다. 주로 횡자계(horizontal magnetic field)와 카스프자계가 사용된다.
반/디 용어집단결정제조장치-형식웨이퍼제공정
웨이퍼냉각 스테이지 - wafer cooling stage
반도체제조장치에서 장착된 고온의 웨이퍼를 냉각하는 부분. 냉각 스테이션(cooling station)이라고도 부르며, 산화․열처리(anneal)장치와 레지스트 처리장치에도 존재한다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
이단RO장치 - double pass RO
제1단 RO의 투과수를 제2단 RO에 공급하여 처리하고, 비저항값 0.5～5MΩ․㎝ 정도의 순수를 얻는 장치. 후단에 재생설비가 불필요한 이온교환장치와 결함되는 것이 많다.
