이온마이크로프로브분석법 IM(M)A - ion micro probe(mass) analysis method
일차이온을 직경 1～2마이크로미터(㎛)의 점에 집중시켜, 이 일차이온으로 표면물질을 스퍼터이온화하여, 질량분석계로 분석하는 방법. 시료표면의 원소 혹은 동위체 분포는 일차이온빔의 동기조사와 오실로스코프를 이용하여, 확대상으로서 표시한다.
반/디 용어집물성검사장치검사
인시츄 in - situ - in - situ
종래에 서로 다른 공정으로 하던 처리공정들을 한 곳에서 단일공정으로 하는 것. in-situ 크리닝, in-situ 도핑, in-situ 모니터링 등으로 사용된다.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
오토캘리브레이션기능 - automatic calibration function
장치의 측정정밀도를 규격값 내로 자동교정하는 기능.
반/디 용어집기본․공통사공정
웨이퍼ID - wafer ID
웨이퍼 한 장의 인식을 위하여, 웨이퍼에 각인 또는 인쇄된 번호나 신호. 오리에테이션 플랫부에 붙어있는 경우가 많다. 각 장치에의 웨이퍼마다 데이터관리에 사용된다.
반/디 용어집사공정핸들링
웨이퍼 스테이지 - wafer stage
웨이퍼를 노광위치로 이동시켜 위치를 결정하는 기구로써, XY평면내의 이동과 위치를 결정하는 XY스테퍼와, Z방향의 위치결정(focusing), Z축 주변의 회전위치결정(웨이퍼 θ) 및 X축과 Y축 주면의 회전위치결정(tilting)을 행하는 미동스테이지의 양스테이지를 포함하는 기구.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
웨이블그래프 웨이블플랏 - weibull graph weilbull plot
반도체디바이스의 초기고장, 우발고장. 마모고장 등을 평가하는 그래프. TDDB, 전자이동성(electromigration)평가 등에 이용된다.
반/디 용어집사공정에싱
입력데이터 포멧 - input data format
장치에 입력된 패턴 데이터의 표현방식
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
외열법 - outside heating method
결정성장 용기의 바깥에서 가열하는 방법.
반/디 용어집단결정제조장치-형식웨이퍼제공정
연삭웨이퍼두께 - actual wafer thickness
연삭할 웨이퍼의 실제 두께. 면가공할 때, 상면과 하면에서 연삭폭을 다르게 하기 위해, 웨이퍼 한 장마다 실제의 두께를 정확하게 알 필요가 있다.
