레지스트의 패턴을 건식식각을 이용하여 형성하는 방법. 습식현상방식에 비해, 밑면반사 등의 문제를 피할 수 있다. 실릴화 공정의 형태에 레지스트 자체에 식각의 선택성을 갖게하는 방법과 다층 레지스트법 등이 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정레지스트 처리
광여기식각 장치 - photo excited etching system
식각실내에 반응성가스를 주입하여, 자외선․가시광선 등을 가스 또는 웨이퍼에 조사함으로써 라디칼을 발생시켜 식각하는 장치.
반/디 용어집건식식각장치웨이퍼처리공정
리시피 - recipe
웨이퍼처리공정을 제어하기 위해, 각 공정장치에의 공정시퀀스 및 제어 파라미터(온도, 압력, 가스의 종류 및 가스유량, 시간 등의 제어목표치)에 관련한 장치의 처리공정 프로그램.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
레지스트막두께검사 - resist thickness inspection
블랭크에 도포된 레지스트막의 두께를 측정하는 것. 보통, 베이킹(baking)처리 후, 접촉침법에 의해 행해진다.
반/디 용어집마스크 블랭크 제조마스크제조공정
개별반도체 검사시스템 - discrete component test system
다이오드, 트랜지스터, 포토커플러 등의 전기적 특성을 측정하는 장치.
반/디 용어집사공정discrete component test system
가공층 - work damage layer
Si 웨이퍼제조공정에서 슬라이스, 래핑 등의 기계가공을 할 때, 웨이퍼의 표면에는 비정질층, 다결정질층, 모사이크 구조층 등이 발생하는데, 이것에 함께 생기는 왜곡이 있는 층. 이들 결함은 제거가 불충분하면, 디바이스제조공정에서결정결함의 발생원인으로 되어 얻어지므로 항상 주의를 기울여야 한다.
반/디 용어집특성용어검사
다이주입률 - dropping rate
다이픽업할 때, 트레이포켓(tray pocket)에 바르게 삽입정렬되는 다이의 비율을 다이주입률이라고 한다.