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가스공급제어장치 - gas supplying system

반도체제조장치에 있어서, 각종 재료가스의 공급량이 설정값을 유지하게 하는 장치. 주로 압력 및 유량을 제어하며, 가스를 혼합할 때도 있다. 유량제어기(mass flow controller, MFC), 전환밸브, 레귤레이터, 반도체압력센서, 필터 등을 패널박스에 넣어 사용한다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
나노메트릭 리소그래피 - nanometric lithography

선폭이 나노메터(nm)영역의 패턴을 리소그래피한 것.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
냉각탑 쿨링타워 - cooling tower

물을 저온(저습구온도)의 공기와 접촉시키면 물의 일부가 증발하여, 물이 증발잠열을 잃는 현상을 이용하여, 물의 온도를 낮추는 장치. 냉각수 자신이 직접 공기와 접촉하여 증발하는 개방형냉각탑, 및 냉각수는 코일을 통해 흐르고, 코일 외부의 산포수(散布水)가 공기와 접촉하여 증발하는 밀폐형 냉각탑이 있다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
거울면웨이퍼 경면웨이퍼 폴리쉬웨이퍼 - mirror wafer polished wafer

경면(거울면) 마무리를 웨이퍼

반/디 용어집 기본․공통 웨이퍼제공정
고속원패스용접 - high speed one pass welding

용접시에 발생하는 금속퓸(fume)을 줄이기 위한, 가스공급배관의 용접방법. 특히, 부식성가스공급배관에서의 프로세스에 관계되는 금속오염을 방지하고, 배관자체의 내부식성능의 향상시킬 목적으로 한다. 자동용접기를 이용하여, 통상의 용접속도의 약 8배 정도의 고속으로 실시한다.

반/디 용어집 약품분석기기 설비․환경공정
다단열처리 - multi steps annealing

주로 Si 웨이퍼의 내부에 미소결함을 형성 및 성장시키는 열처리방법. 700℃전후의 저온열처리에서 미소결함의 핵을 형성시키고, 다음에 1000℃전후의 고온열처리에서 미소결함을 성장시키는 등, 결함을 쉽게 검출할 목적으로 실시된다. 저온과 고온을 여러 번 조합하여 실시하는 열처리방법.

반/디 용어집 열처리용어 웨이퍼제공정
기상세정장치 - vapor phase cleaning equipment

화학약품증기와 가스를 불화성가스로 희석시켜 반응실로 보내어, 세정물의 표면오염물을 기화하기 쉬운 반응생성물로 변화시켜 제거하는 장치.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 건식세정장치
긴 치수 정밀도 - long dimension accuracy

칩 내의 패턴 위치, 칩 간의 패턴의 상대위치 혹은 층간의 상대위치 등을 나타내는 긴 치수(long dimension)의 정밀도. 마스크의 중복정밀도 측정과 묘화장치의 관리에 이용되며, 좌표측정장치로 측정된다. 측정항목은 개별 피치(pitch), 토탈 피치, 직교도(直交度), 칩 로테이션, 칩 배율, 삽입패턴의 위치 부정합 등이 있다.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
대전류이온 주입장치 - high current ion implanter

빔전류량의 최대값이 5mA 이상인 이온주입장치.

반/디 용어집 이온 주입장치 웨이퍼처리공정

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