기판 위에 패턴을 형성하여, 다음 공정에서 다시 패턴을 형성할 때, 앞의 기판과의 상대적인 위치정밀도. 전(全)패턴형성공정을 종료한 기판에 있어서, 패턴 사이의 상대적인 위치정밀도는, 중복정밀도에 대응하여, 토탈중복정밀도라고 한다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
처짐 - wire sagging
본딩 후의 와이어가 중간에서 축 늘어져 내려가 있는 상태.
반/디 용어집조립공정본딩
탑링 탑블럭 헤드 연마헤드 - top ring top block head
마운트판을 지지하고 하중을 균등하게 전달해주는 상판. 수냉기구를 갖고 있는 것이 있다. 회전되는 방식에는 연마정반의 회전방향으로 자전하는 추종방식과 강제적으로 회전되는 방식이 있다.
반/디 용어집웨이퍼제공정폴리싱장치-성능․정밀도
카이네틱 커플링 - kinetic coupling
(탑재대 위에) 볼록한 모양의 3차원 곡면을 갖는 핀 3개를 삼각형의 세 정점에 위치하도록 배치하며 이 핀에, 탑재물에 설계된 세 개의 역V자 형의 홈을 끼워 위치결정을 하는 기구. 300㎜ 웨이퍼 반송기에 이용된다. 결정할 수 있는 범위가 넓고, 자동적으로 중심을 찾으므로 위치결정 정밀도가 큰 것이 특징.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
펠리클 - pellicle
마스크와 레티클에 이물이 끼는 것을 막기 위해, 마스크와 레티클 위에서 일정한 거리까지 설계한 투명한 보호막. 이 일정한 거리(stand off)는 보호막 표면 위에 부착된 이물이 웨이퍼로 전사되는 성질 때문에 설계된다. 또, 보호막은 사용하는 노광광원에 대하여 투과성을 가지며, g선용, i선용, ig선공용, 광대역파장용 등이 있다.
반/디 용어집검사장치마스크제조공정
진공건조장치 - vacuum drying equipment
건조실을 대기압 이하로 배기하여, 세정대상물을 세정하는 용매의 증발속도를 높인 것으로, 온도가 그다지 높지 않은 것, 다공질체, 복잡한 조립품 등의 건조에 이용되는 장치.
반/디 용어집웨이퍼처리공정세정
핫 척 히트업스테이지 - hot chuck heat up stage
프로브 등으로 각 칩의 고온환경에서의 전기특성을 측정가능하도록 웨이퍼를 가열하고 유지하는 부품. 저온환경에서 하는 것을 쿨 척, 일정한 온도환경에서 하는 것을 항온 척이라고 한다.
반/디 용어집사공정핸들링
하드베이킹 포스트 베이킹 - hard - bake post - bake
현상에 의한 레지스트의 패턴 형성 후, 레지스트막 속 또는 뒷면에 남아있는 현상액, 린스액을 증발․제거하고, 레지스트를 경화(hard)시키고, 웨이퍼의 밀착성을 강화하기 위한 열처리. 처리온도, 시간은 패턴형상이 연화(軟化)로 변형되지 않는 범위로 설정된다.