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베이킹장치 - baking oven

마스크 블랭크에 레지스터를 도포한 후에 가열하는 장치인데, 대류식(convection)과 오토 플레이트 오븐(auto plate oven) 등이 있다.

반/디 용어집 마스크 블랭크 제조 베이킹장치
에지 린스 에지 클린 - edge bead remover E.B.R.

웨이퍼 표면의 끝부분이 각 공정에서 위치결정부 등과 접촉하는 경우, 레지스트의 결함 등에 의해 먼지가 생긴다. 이것을 막기 위해 웨이퍼 표면부의 레지스트를 용제로 제거하는 것. 보통 레지스트도포 때에 실시한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 도포장치
번인보드 - burn - in board

번인챔버 내의 여러 개의 피측정디바이스를 수납하기 위한 보드.

반/디 용어집 사공정 에싱
에피택셜 성장장치 - epitaxial growth system

웨이퍼의 결정성과 같은 단결정층을 성장시키는 장치. 성장분위기에 의해, 분자선 에피택셜성장장치, 기상 에피택셜성장장치, 액상 에피택셜성장장치, 고상(固相) 에피택셜성장장치로 나뉜다. 재료 측면에서 볼 때, 웨이퍼와 성장층의 재료가 같은 경우(호모에피택셜) 및 웨이퍼와 성장층의 재료가 다른 경우(헤터로에피택셜)로 구분된다.

반/디 용어집 에피택셜 성장장치 웨이퍼처리공정
벽면각 어깨각 테이퍼각 - wall angle shoulder angle taper angle

레티클(마스크)패턴을 웨이퍼 위에 노광 전사(轉寫) 후, 현상하여 얻어지는 레지스트 패턴의 단면 모양에 있어서, 측면의 경사각도.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
스크래치 - scratch

Si 웨이퍼의 외관검사에 사용하는 용어로, 웨이퍼표면의 미소한 흠.

반/디 용어집 특성용어 검사
쓰기에러허용회수 지우기에러허용회수 - write error allowance erase error allowance

비휘발성 반도체메모리(플래시메모리 등)에 있어서, 쓰기 또는 지우기를 실행에서 허용되는 에러회수.

반/디 용어집 사공정 에싱
수평브릿지만법 - horizontal Bridgman method

증기압 온도와 용융액유지온도를 공급하는 2개의 저항가열로가 내부의 석영봉관에 대해 상대적으로 좌우로 이동시키면, 용융액은 보트의 끝에서 응고하기 시작한다. 이 때, 다른 조건을 적당하게 제어하여 용융액 전체를 단결정화하는 방법. 이방법에는 온도경사법(gradient freeze method)과 복온도법이 있다. 현재는 많은 화합물반도체의 결정성장에 사용되고 있다.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 단결정제조
산소석출 - precipitation of oxygen

열처리과정에서 Si 중에 존재하는 산소가 무정형, 크리스트바라이트 등의 화합물 등으로 석출되는 것.

반/디 용어집 열처리용어 웨이퍼제공정

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자주 찾는 용어

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마찰계수 - friction coefficient

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탄성계수 - elastic modulus

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쓰기에러허용회수 지우기에러허용회수 - write error allowance erase error allowance

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