반도체 제조용 절단기에 사용되는 얇은 판 절단용 공구(blade)의 절단중 변위를 측정하는 장치.
반/디 용어집기계가공웨이퍼제공정
블레이드원점조정 - blade height calibration
웨이퍼테이블면에 블레이드를 접촉시켜, 블레이드의 기준높이를 설정하는 것. 블레이드에 데미지가 없고, 광빔을 사용한 블레이드끝부분의 높이 검지기능도 있다.
반/디 용어집조립공정다이싱
쓰기에러 지우기에러 - write error erase error
비휘발성 반도체메모리(플래시메모리 등)에 있어서, 쓰기(write) 와 지우기(erase)를 한 번 실행한 후의 값이, 검증된 기대값과 일치하지 않는 것.
반/디 용어집사공정에싱
스텝식 투영노광 장치 스테퍼 - stepping projection aligner stepper
마스크 패턴(레티클 패턴)의 투영상에 대하여 웨이퍼를 반복 스테핑(stepping)하여 노광하는 투영노광장치. 스텝식 투영노광장치의 총칭을 스테퍼라 한다. 사용하는 노광광원에 의해, g선 스테퍼, ⅰ선 스테퍼, 엑시머레이저 스테퍼로 구별하여 부르는 경우도 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
불산모니터 - hydrogen fluride monitor
웨이퍼세정에 이용하기 위한 초순수로 희석된 불화수소산의 농도감시용모니터. 측정방법은, 불소수지몰드제의 전자유도식 도전률전극을 이용하여 검출한다. 측정범위는 0~5%이다. 불산수지에는 먼지가 적게 일어나는 PFA를 이용한다.
반/디 용어집설비․환경공정물
애싱 - ashing
포토리소그래피의 마지막으로 웨이퍼 위의 레지스트를 제거하는 것. 습식박리와 건식박리로 나뉘며, 보통 건식박리장치를 애싱장치(asher)라고 한다.
반/디 용어집애싱장치웨이퍼처리공정
어닐균일성 - annealing uniformity
어닐링에 의해 처리한 웨이퍼 면내(面內)와 면간(面間) 온도의 부정합. 열전대를 이용하여 웨이퍼의 온도를 직접측정하거나, 이온주입 후에 시드저항을 측정하여 어닐균일성을 구한다.
반/디 용어집어닐장치웨이퍼처리공정
베이시스템 - bay system
작업반송과 유틸리티서비스, 메인터넌스(maintenance) 영역의 분리를 목적으로, 작업영역과 서비스영역을 서로 바꿔주는 것을 반복하는 베이(bay)형 배치시스템. 주로 웨이퍼처리공정에 이용된다.
반/디 용어집청정실설비․환경공정
생물탈질소장치 - biological nitrogen removal equipment
폐수 중의 질소성분을, 미생물에 의한 생물처리로, 질소가스단계까지 분해하는 장치. 보통, 질화 및 탈질소공정까지로 구성된다. 질화공정에는, 호기성 하에 질화균에 의해 암모늄이온을 질산이온으로 산화하고, 탈질소공정에는, 호기성 하에 탈질균에의해 질산이온을 질소가스로 환원된다.