반디통 용어집

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볼 형상 - ball shape

본딩와이어 앞끝에서 전기토치로 용융하여 형성된 구(sphere) 모양.

반/디 용어집 조립공정 본딩
무결함영역 DZ층 - denuded zone

쵸크랄스키법으로 만들어진 Si 웨이퍼를 적당한 열처리(예를 들면 1050℃, 수십시간, N2분위기)를 시행하면, 웨이퍼표면 근방의 산소는 외부로 확산되어 형성되는, 저산소에서 산소석출 등 완전히 결함이 없는 영역. DZ흥이라고도 한다.

반/디 용어집 열처리용어 웨이퍼제공정
멀티플렉서 - multiplexer

신호원, 측정계를 릴레이 등으로 피측정디바이스 단위마다 변환하는 회로

반/디 용어집 기본․공통 사공정
양대역 증폭(兩帶域增幅) - Bi - amping

중.고역 전용 앰프와 저역 전용 앰프를 각기 별도로 증폭하는 것. 방송국의 모니터용 스피커는 대부분 중.고역부와 저역부의 2 way 시스템으로 구성되어 있는데, 명료성 및 현장감을 높이기 위해서 해당 대역별로 분리해서 스피커에 연결하여 사용하는 것을 말한다. 따라서 2 way 스피커를 바이 앰핑하여 모노럴(monoral) 시스템으로 사용할 경우에는 2대의 앰프가 필요하지만 스테레오(stereo) 시스템으로 사용할 경우에는 4대의 앰프가 필요하게 된다.

통신 용어집
서브필드 - subfield

복수개의 편향기로 구성된 편향계의 경우, 편향 영역이 작은 쪽 영역

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
아웃가스 - outgassing

재료에서의 가스방출. 청정실건축재, 각종제조장치에는 다양한 종류의 재료가 사용되고 있어, 재료에 의해서는 암모니아 등의 무기성가스, DOP 등의 유기성가스를, 장기간에 걸쳐 방출하여, 웨이퍼공정에 악영향을 미치는 것이 있다. 이 때문에 사용재료의 충분한 조치가 필요하다.

반/디 용어집 청정실 설비․환경공정
에지러프니스 - edge roughness

묘화된 패턴의 에지부의 굴곡 정도. 레지스트, 공정조건, 전자빔의 직경 및 빔의 모양 등에 의해 변한다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
백 래크 - back rack

드라이버보드 등을 수납하여, 전기적인 접속을 가능하도록 하는 래크.

반/디 용어집 사공정 에싱
실린더캐비넷 - cylinder cabinet

반도체제조용가스 중에서, 독성이 강한, 혹은 자연발화성이 높은 위험성가스를 안전하게 취급하기 위해, 고압가스용기를 수납하여 가스를 공급하는 장치. N2에 의한 내부 퍼지, 가슬누출경보기, 배기계 등의 기능을 갖는다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

탄성계수 - elastic modulus

프란틀 수 - Prandtl number

공칭 응력 - nominal stress

최대 전단응력(트레스카) 이론 - maximum...

CFL수 - Courant - Friedrichs...

볼 형상 - ball shape

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멀티플렉서 - multiplexer

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백 래크 - back rack

실린더캐비넷 - cylinder cabinet

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