같은 기능의 제조장치군을 모아 배치하는 제조장치 배치법. 공정순서에 따라 배열되지 않기 때문에 운반하는 데 있어서 불리하지만, 웨이퍼처리공정과 같은 반복적이고, 택트가 다른 장치를 이용할 경우, 작업성, 공간적인 면에서 유리하다. 베이시스템(bay system)에서는, 각각의 베이에 같은 기능의 장치군을 배치하고 있어, 본 형식의 전형이 된다.
성장중인 단결정의 질을 높이기 위한 자동온도제어시스템. 실제의 장치에서는 히터온도, 가열전력 등을 제어하는 간접온도제어방식 또는 용융액표면의 온도를 적외방사온도계 등으로 직접 계측하여 디지털온도제어방식이 이용된다.
반/디 용어집웨이퍼제공정단결정제조
표면오염 - surface contaminat - ion
웨이퍼의 표면에, 가공정밀과 디바이스 특성에 악영향을 주는 물질이 부착되는 것. 표면에 부착된 입자, 유기분자, 금속불순물과 더불어, 최근에는 자연산화막도 세정 대상에 포함된다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
저온액화가스필터 - cryogenic liquefied gas filter
냉증발기(cold evaporator)에서 공급되는 저온액화가스 중의 미립자를 포획하는 필터
반/디 용어집설비․환경공정약품
직접인덱스 기능 샘플링프로브기능 - direct index function sampling probe function
웨이퍼테스트를 실시하기 전에 미리, 측정하려는 칩의 로케이션(좌표)를 테스트시스템 또는 프로버로 설정해두고 테스트할 때 이 데이터를 기초로 설정된 칩만을 처리하는 기능.
반/디 용어집사공정핸들링
주입실 - implant chamber process chamber target chamber
웨이퍼에 이온주입하는 처리실. 주입할 때, 챔버 내에 있는 가스와 이온빔의 충돌에 의해 발생하는 중성입자가 같이 주입되어 생기는 주입량의 오차를 막기위해, 고진공을 유지할 필요가 있다. 높은 쓰루풋(throughput)을 달성하기 위해, 진공 예비실과 두 개의 주입실이 설계된 장치도 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정도핑
DART - distribution analysis in real time
테스팅장치에서의 측정데이터와 분석결과를 실시간(real time)으로 해석하는 기능.
반/디 용어집기본․공통사공정
하향조정 상향조정 - down set up set
칩의 접착높이를 최적의 위치로 할 목적으로 리드프레임의 칩 접착면을 아래 또는 위로 조정하는 것