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반응실 성장실 리액터 - reaction chamber deposition chamber reactor

CVD장치, 에피택셜 성장장치에 있어서 박막을 형성하는 곳. 웨이퍼, 웨이퍼홀더, 서셉터 등을 수납하고, 특히 고순도의 석영으로 만들어진 관 모양의 것은 반응관이라고 부른다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
약약용필터 - chemical filter

약액 중의 불순물 입자를 여과하고, 다공질막과 하우징(housing) 등으로 내약품성 재료를 사용한 여과기. 반도체용으로는 붕소 수지가 이용되고 여과하려는 입자의 크기에 따라, 필터구멍의 직경이 조절되는 다공질막이 사용된다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
선 데이터통신 서비스

휴대전화 자동차전화 서비스와는 달리, 무선으로 데이터통신을 전문적으로 제공하는 서비스.

통신 용어집 선 데이터통신 서비스
시소 - seesaw

메인 롤러의 회전방향이 자주 바뀌는 형태의 와이어톱을 가진 기구. 메인 롤러의 한 쪽에서 와이어가 계속 나올 때, 이것을 둘러싸고 동시에 다른 쪽으로 내보내는 운동을 번갈아 반복한다.

반/디 용어집 기계가공 절단장치-하드기능
어닐실(室) - annealing chamber

어닐장치를 구성하는 요소의 하나로, 대상물을 가열하기 위해 설계되는 공간 및 구성물. 석영제와 금속제가 있다.

반/디 용어집 어닐장치 웨이퍼처리공정
서치속도 - search speed

서치레벨 이하에서의 본딩툴의 하강속도. 접합물에 툴을 접지시킬 때 충격을 작게하기 위하여 툴의 하강속도를 낮춘다.

반/디 용어집 조립공정 본딩
약품자동희석혼합장치 - automatic chemical dilution (mixing) equipment

초순수에의한 희석 또는 2종류 이상의 약품을 자동적으로 혼합하여, 일정농도 또는 일정배합비의 약품을 조합하는 장치. 주로 세정액, 현상액, 에칭액의 제조에 사용된다. 약품소비량이 많은 반도체제조공정에는, 비용이점(cost merit)가 있다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
식각종점 검출 - etching end point detection

식각의 종점(終點)을 자동적으로 검출하는 것. 검출방법으로서 다음의 방법이 있다. (1)분광분석법 (2)질량분석법 (3)광학반사법(레이저간섭법) (4)인피던스모니터법 (5)압력모니터법 (6)탐침법 (7)적외선흡수법

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
버퍼 - buffer

장치 안에 마스크, 웨이퍼 등의 기판을 일시적으로 수납하기 위한 곳. 보통의 카세트(carrier)를 이용하는 것과, 전용기구를 이용하는 것이 있다. 기판을 꺼내고 빼는 것은 FIFO(First Input First Output)과 LIFO(Last Input First Output)의 두가지 방법이 있다.

반/디 용어집 기본․공통 웨이퍼처리공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

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최대 전단응력(트레스카) 이론 - maximum...

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