레이저빔의 단면모양. TEA CO2 레이저는 방전의 단면모양이 직사각형에 가까운 것에서 이 모양을 가리키는 것도 있다. 일반적으로 마킹광학계 안의 렌즈, 원기둥렌즈 등을 이용하여 모양을 변화시켜 이용한다.
반/디 용어집조립공정마킹
산소밀도 모니터링 - oxygen concentrat - ion monitor
공정파라메타의 하나이며, 챔버 안의 산소농도를 측정하는 기능. 가열분위기에서 잔류하는 산소농도를 조절하기도 하고, 원하는 산소농도에서 열처리하는 경우에 이용된다.
반/디 용어집어닐장치웨이퍼처리공정
반응성이온빔식각장치 RIBE 장치 - reactive ion beam etching system RIBE
반응성가스에 의한 플라즈마를 이온원에서 발생시켜, 반응성가스 이온 및 중성라디칼를, 이온원과 분리된 시료대 위의 웨이퍼에 조사하여 식각을 진행하는 장치.
반/디 용어집건식식각장치웨이퍼처리공정
비율 - rate
기능시험에 있어서, 테스트사이클을 규정하는 값.
반/디 용어집기본․공통사공정
벌크결함 - bulk defect
실리콘 웨이퍼의 결함을 나타낼 때, 웨이퍼의 표면보다 수㎛이상의 깊이의 부분에 발생하는 결함. 이것에 대응하여, 웨이퍼의 표면에서 10㎛이내의 표면층에서 발생하는 결함은 결정자신뿐만 아니라 가공공정에 기인하는 결함도 포함될 가능성이 있다. 가공에 기인하는 결함을 제외한, 오직 결정때문에 발생하는 결함을 나타내기 위하여, 특히 벌크결함이라고 한다.
반/디 용어집특성용어검사
미스매치 - mismatch
윗 패키지와 아래 패키지의 부정합
반/디 용어집패키지조립공정
범프 와이어범프 - bump
반도체 칩 또는 배선용리드에 형성된 돌기 모양의 접속전극. 반도체 칩 위의 범프에는 전처리공정에서 만들어 넣은 것과, 와이어본더로 만들어진 와이어범프가 있다.
메모리디바이스의 기억 셀의 물리적 배치는 입력어드레스 정보(논리어드레스)와 다른 경우가 많다. 디바이스 내용과 같은 모양의 배치(물리어드레스)로 변환하는 것을 물리변환이라고 하고, 반대로 논리적인 배치(논리어드레스)로 변환하는 것을 논리변환이라고 한다.
반/디 용어집사공정디버그
메모리 맵 - memory map
동회나 복덕방에 가보면 지적도라는 도표가 있어 주민들이 살고 있는 집들이 어디에 위치하고 있으며 그 집이 얼만큼 큰가를 쉽게 알아볼 수 있으며 집을 찾는 사람들이 빠른 시간 안에 원하는 집을 찾을 수 있으며 주민을 관리하기에도 무척 효율적이다. 이와 같은 지적도가 컴퓨터의 기억장치를 관리하는데도 유용하게 쓰이고 있는데, 이러한 역활을 하는 것이 메모리 멥이다. 메모리 멥은 데이터 또는 일련의 프로그램들이 기억장치의 어느 부분에 저장되어 있는가를 보여주는 도표이다.