질량분석계(系)에서, 질량수가 비슷한 2종류 이상의 이온을 분리하는 능력의 정도. 매스 스펙트럼 위에 빔 전류량의 반치폭(표준편차)과 이온의 질량수의 비(Μ/ΔΜ)로 표시한다.
반/디 용어집이온 주입장치웨이퍼처리공정
오픈 카세트 - open cassette
웨이퍼를 수납하여 장치 사이를 반송하는 용기. 웨이퍼를 지지하는 부분와, 반송할 때 용기자체를 눌러 주는 부분와, 이것들을 지지하는 지지부로 이루어지며, 웨이퍼 수납부분에 공기를 차단하는 용기가 없고, 개방되어 있는 웨이퍼반송장치
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
외부연소 장치 - external torch unit
열산화장치를 사용하여 수증기산화를 할 경우에 수소가스와 산소가스를 반응로 밖에서 연소시키는 수증기발생장치. 수증기의 양은 수소가스를 유량제어기(mass flow controller, MFC)로 조정하여 정밀하게 제어한다. 연소부를 발열(pyrogenic)장치라고도 한다.
반/디 용어집산화장치웨이퍼처리공정
웨이퍼가열 기구 - wafer heating mechanism
웨이퍼를 가열하는 데 이용되는 시스 히터, 적외선 램프 히터 등의 총칭. 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라 웨이퍼 안을 균일하게 가열해야 하므로, 최근에는 발열체와 웨이퍼를 열로 매개해주는 He, Ar 등의 가스를 사용한 가스매체가열이 중요한 기술이 되고 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
웨이퍼정렬 - wafer alignment
웨이퍼를 미동(微動)조정하는 정렬, 또는 장치에 고정된 기준으로 웨이퍼를 위치정합하는 것.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
웨이퍼 이물검사 - inspection of dust particle on wafer
웨이퍼 표면에 부착된 이물의 크기․모양의 검사.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
오존 애싱 장치 - ozone asher
애싱처리실에 고농도의 오존을 도입하여, 오존과 레지스트를 화학반응시켜, 애싱하는 장치로 오존으로 분해된 산소원자와 레지스트가 반응하므로 하전입자의 영향이 없고, 무결함(demage free)공정이 가능하다. 보통, 질소나 질소화합물을 촉매로 첨가하여, 애싱속도를 높인다.
반/디 용어집애싱장치웨이퍼처리공정
열이력 (熱履歷) - thermal budget
공정 중에 웨이퍼가 받는 총열량. 받는 열의 온도와 열을 받은 시간과 관계가 있다.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼처리공정
이온주입 장치 - ion plating system
웨이퍼를 음극측에 설치하고, 글로우(glow)방전을 일으켜, 증발원에서의 증발원자를 이온화 또는 여기(與氣)시켜, 가속하고, 기판에 충돌시켜 퇴적하게 하는 진공증착장치. 이온플레이팅은 밀착성이 강한 피막을 얻을 수 있고, 부착력이 좋으며, 막질이 좋은 화합물피막을 얻을 수 있는 등의 특징이 있다.
