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전실온 세정공정 - total room temperature wet cleaning process

전공정을 실온에서 처리할 수 있는 공정. (1)오존, HF, 게면활성제를 낮은 농도에서만 사용한다. (2)약액증기의 발생이 적고, 액관리가 불피요하여 배기량도 줄일 수 있다. (3)에너지와 자원을 줄일 수 있다. (4)환경대책이 용이하다는 등의 특징이 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
COP - crystal originated particle

Si의 CZ결정 웨이퍼를 SC-1세정하면, 표면결합측정기에 의해 마치 0.1～0.2㎛의 입자가 존재하는 것처럼 미소한 피트가 보인다. 보통의 광산란방식의 장치에서는 실제 입자와 식별 불가능한 것을 COP라고 부른다. 결정(結晶)을 끌어올리는 조건에서 발생 정도에 영향받아, SC-1 세정을 반복하며 증가시키 때 생기는 일종의 결정결함을 식각한 흔적으로 생각되고 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
폐액자동처리장치 - waste fluid separator

약액 또는 순수를 배출할 때, 성분내용과 오염정도에 따라 구분하여 배출하는 장치.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
킬레이트제 첨가세정약품 - chelating agent added cleaning chemical

세정액 중의 중금속 불순물이 웨이퍼 처리시에 표면흡착오염이 없도록, 킬레이트제를 첨가한 약품. SC-1액용의 암모니아수가 사용된다. 이 약품으로 조정된 SC-1액으로 세정한 웨이퍼는 보통 약품의 경우보다 Fe와 Al 등의 오염량이 적게 되고, SC-2액 세정을 생략할 수 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
표면오염 - surface contaminat - ion

웨이퍼의 표면에, 가공정밀과 디바이스 특성에 악영향을 주는 물질이 부착되는 것. 표면에 부착된 입자, 유기분자, 금속불순물과 더불어, 최근에는 자연산화막도 세정 대상에 포함된다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
카세트리스 세정장치 - cassetteless wet cleaning equipment

카세트에서 전 웨이퍼를 일괄 체크하여 골라내어, 여러 수조 사이를 자동운반하는 기구 중에서, 웨이퍼만을 배치침적세정할 수 있도록 한 장치. 카세트를 이용하지 않으므로, 수조의 크기를 축소할 수 있고, 장치전체의 공간을 줄일 수 있으며, 세정액 사용량이 줄고, 세정효율과 린스효율을 향상시킬 수 있다는 등의 많은 이점이 생긴다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
청정챔버 - clean draft chamber

HEPA 필터장치와 배기덕트를 갖고, 청정한 분위기에서 약품처리를 하는 곳.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
제타전위 계면동전위 - zeta potential

고체와 액체의 경계면에 있는 전위차로, 경계면 동전(動電)현상으로 관찰되는 미끄럼 면의 전위. 세정에 의해, 웨이퍼에의 입자의 부착을 방지하는 것에는, 웨이퍼와 입자 사이에 척력이 작용하도록 용매의 pH를 조정하고 계면활성제를 첨가하여, 웨이퍼 및 입자의 제타전위를 같은 부호로, 가까운 값으로 조정하는 것이 유효하다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
RCA세정 - RCA cleaning

1970년에 미국 RCA사가 개발한 다음과 같은 공정 및 조성으로 이루어진 Si 웨이퍼 세정법. (1) 암모니아 : 과산화수소 : 물의 용적배합비=1 : 1～2 : 5～7의 세정액(SC-1액 또는 Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture, 줄여서 APM액)으로, 75～85。C, 10～20분의 침적처리. 유기성 오염, 및 부착입자를 제거할 수 있다. (2) 불소산수용액(1 : 99의 희석액, Diluted Hydrofluoric acid 줄여서 DHF액)으로, 실온(室溫)에서 십 몇 초간의 침적처리. 실리콘산화피막을 제거할 수 있다. (3) 염산 : 과산화수소 : 물의 용적배합비=1 : 1～2 : 5～7의 세정액(SC-2액 또는 Hydrochloric acid-Hydrogen Peroxide Mixture, 줄여서 HPM액)으로, 75～85。C, 10～20분의 침적처리. 표면금속 불순물을 제거할 수 있다.

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