진한 황산용액에 과산화수소를 0.25～1용 혼합한 액(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture 줄여서 SPM액)을 130。C 내외로 가열하여, 레지스트 박리와 유기성 얼룩을 제거, 또는 표면금속불순물 제거하는 세정.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
약액재생장치 - chemical regenerator
세정처리에 사용되는 약액의 폐액을 여과․증류․이온교환 등으로 정제하여, 다시 이용할 수 있도록 하는 장치. 황산, 붕산 등이 실용화되고 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
미소굴곡 - micro - roughness
Si 웨이퍼의 거울면도 100～1000nm의 피치에 수 nm이하 높이의 굴곡이 만들어진다. 이 레벨의 굴곡을 미소굴곡이라고 부르며, 웨이퍼의 연마조건, 결정방위, SC-1세정조건에 영향받는다. 얇은 게이트 산화막의 내압특성은 미소굴곡의 증대를 저하시키기 때문에, 이것을 억제하기 위해 표준조성의 NH4OH비를 수 분의 1이하로 하여 세정한다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
세정평가 - cleaning evaluation
세정 후의 웨이퍼 면에 잔류하는 입자, 자연산화막, 유기물 및 금속불순물의 양을 측정하여, 허용값내로 제거되는가를 판단하는 것.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
약약용필터 - chemical filter
약액 중의 불순물 입자를 여과하고, 다공질막과 하우징(housing) 등으로 내약품성 재료를 사용한 여과기. 반도체용으로는 붕소 수지가 이용되고 여과하려는 입자의 크기에 따라, 필터구멍의 직경이 조절되는 다공질막이 사용된다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
수소 터미네이션 수소종단화 - hydrogen termination
웨이퍼의 가장 바깥 표면에 Si 원자가 수소와 결합하여, 안정화되어, 소수성(물과 반응하지 않는)표면으로 되는 상태. 산화막을 불소산수용액으로 처리한 후에 발생되지만, 완전하지 못한 것도 있어, 이 경우에는 시간경과에 의해 자연산화막이 형성된다.
