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평판마그네트론스퍼터링장치 - planar magnetron sputtering system

자력선이 평판 모양의 타겟 속에서 나와 다시 타겟쪽으로 돌아가는 구조의 캐소드(cathod)구조로 되어 있다. 자기장은 타겟 위에서 루프모양(race track)으로 전자를 이 공간에 가두는 구조로 되어 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
프리스퍼터링 - pre - sputtering

스퍼터링장치에 있어서, 웨이퍼에 막을 성장시키기 전, 타겟 표면의 오염층(자연산화막을 포함)의 제거와 타겟표면의 안정화를 위해 실시되는 예비 스퍼터링. 보통은 셔터를 닫은 상태에서 스퍼터링한다.

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캐소드 타겟전극 - cathode target electrode

음극. 스퍼터링장치에 있어서, 음극표면에 타겟이 설치되어 스퍼터링된다.

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타겟이용 효율 - efficiency of target utilization

사용전 타겟의 용적에 대한 소모용적의 비율. 마그네슘 캐소드에서 타겟 재료는 자극(磁極)에 삽입된 특정영역(침식영역)에 대하여 소모된다. 이 침식영역(erosion area)에의 소모깊이로 타겟의 수명이 결정된다.

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동시 스퍼터링 장치 - co - sputtering system

서로 다른 성분원소를 가진 2개 이상의 타겟을 동시에 스퍼터링하면서, 타겟에 공급되는 전력은 각각 독립적으로 제어하여, 구성성분을 조정하여 막을 형성하는 스퍼터링장치. 두가지 이상의 원소로 이루어진 합금과 화합물의 박막을 형성하는 할 때 이용된다.

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다극 플라즈마 스퍼터링 장치 - thermoionic assisted multiode sputtering system

열음극방전을 이용한 스퍼터링장치. 열전자공급용 필라멘트. 대향애노드, 캐소드의 3극을 갖춘 3극플라즈마 스퍼터링장치와, 필라멘트 앞부분에 열전자제어용 그리드 전극을 첨가한 4극 플라즈마 스퍼터링장치가 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
대향타겟형 스퍼터링 장치 FTS장치 - facing target sputtering system

서로 마주보는(對向) 2개의 평판 음극의 중심축을 따라 자계가 형성된 마그네트론 스퍼터링장치. 전자는 마주보는 음극의 공간에 갇혀서 고밀도의 플라즈마를 발생하며, 자성체의 고속 스퍼터링에 유효하다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
마그네트론 스퍼터링 장치 - magnetron sputtering system

전계와 교차하는 자계를 인가하면, 음극에서 나온 전자가 토로이달(toroidal)운동을 하여, 타겟 위에 고밀도 플라즈마를 만들고, 비교적 저전압에서 스퍼터링 속도를 높일 수 있다. 페닝 마그네트론을 응용했으므로 마그네트론이라 부르며, 같은 원리의 장치로 직교전자계형 스퍼터링장치라고도 한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
가압매입 - force fill process

비아홀, 콘택홀에 스퍼터링법 등으로 Al배선을 할 때 발생되는 보이드(void)를 가열상태에서 Ar가스 등으로 압력을 주어 매입하는 방법.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치

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마그네트론 스퍼터링 장치 - magnetron sputtering system

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