가열한 반응관 안의 웨이퍼에 산소 또는 물분자를 공급한 후, 고온에서 열산화반응을 일으켜, 웨이퍼에 산화막을 형성시키는 장치.
반/디 용어집산화장치웨이퍼처리공정
외부연소 장치 - external torch unit
열산화장치를 사용하여 수증기산화를 할 경우에 수소가스와 산소가스를 반응로 밖에서 연소시키는 수증기발생장치. 수증기의 양은 수소가스를 유량제어기(mass flow controller, MFC)로 조정하여 정밀하게 제어한다. 연소부를 발열(pyrogenic)장치라고도 한다.
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유틸리티 박스 - utility box
본체외부에 설치되며, 장치에 공급되는 전기, 가스, 냉각수 등의 제어기기를 내장한 박스.
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온도회복 시간 - temperature recovery time
미리 가열된 반응관의 균열부분에 웨이퍼를 삽입한 때부터, 웨이퍼 삽입 이전의 균열상태가 얻어질 때까지의 시간
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온도프로필 - temperature profile
원통형 히터 안의 반응관에 있는 관 길이 방향의 온도분포. 반응로 안의 온도와 거리와의 관계를 표시한다.
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보온통 - pedestal
열처리 할 때, 열을 외부로 새나가지 않게 않는 모양으로 된 기구. 보통, 수직형 열처리반응로 포트의 하부에 설치된 밑받침과 겸용한다. 재질은 주로 석영과 실리콘카바이드(SiC)를 이용한다.
반/디 용어집Pedestal산화장치
소스캐비넷 - source cabinet
산화장치, 열확산장치, CVD장치 등에 있어서, 산화막형성, 불순물확산, 박막형성의 반응에 필요한 소스(주로 가스)를 공급하기 위한 시스템을 넣어 두는 캐비넷. 가스배관, 밸브, 유량계측기(flow meter), 유량제어기(mass flow meter) 등이 수납된다.
반/디 용어집산화장치웨이퍼처리공정
산화 - oxidation system
웨이퍼에 산화막을 형성하는 것. 온도, 분위기, 압력 및 장치의 형식에 의하여 상압열산화장치, 고압열산화장치, 플라즈마양극(陽極)산화장치로 구분된다. 산화막의 두께 조절과 막 속의 금속오염 방지를 위해, 분압 산화염산 첨가산화, TCA(tolichromethan)첨가산화, DCE(dechromethylen)첨가산화 등의 방법을 사용하는 경우도 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정산화
스카벤저 - scavenger
열산화장치, 열확산장치, CVD장치 등에 있어서, 반응로의 끝에 위치하며, 공정 가스와 열이 클리닝벤치(cleaning bench)쪽으로 확산되는 막기 위한 목적으로 반응관에 접속하는 부분.
