와전류법 - eddy current method Foucault current method
무접촉으로 저항률을 측정하는 방법. 여진 코일로 검출하는 방법에 있어서, 공심코일을 이용한 경우의 판상시료의 시트도전률 와, 와전류 검출전압의 관계는 다음 식으로 주어진다. C630 여기에서 는 여기주파수, , 은 코일권수, 은 여진코일에 흐르는 전류, 은 계수, 는 코일반경이다.
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열자극전류법 TSC - thermally stimulated current method
온도가 올라가는 것면서 트랩된 캐리어가 방출되어 발생하는 접합전류를 검출하는 방법.
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이차이온질량분석법 SIMS - secondary ion mass spectro - scopy
수 keV～20keV 범위의 에너지를 갖는 일차이온을 시료표면의 미소한 점에 충돌시켜, 표면물질을 스퍼터이온화하여, 질량분석로 분석하는 방법.
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오제 전자출련전위분광법 - Auger electron apperance spectro - scopy
비춰주는 빛의 에너지를 변화시켜, 오제(Auger)전자가 발생하는 문턱전압(threshold voltage)를 측정하는 방법.
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원자간 인력 현미경 - atomic force microscope
접근하는 두 개의 물체간에는, 인력과 척력이 작용하는 현상을 이용하여, 가는 탐침을 시료에 근접시켜 기계적으로 주사하면서, 이것들의 힘을 검출하여, 시료표면의 원자분자레벨의 굴곡을 화상으로 보여주는 현미경.
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오제전자분광법 AES - Auger electron spectro - scopy
고에너지의 전자선에 의해 이온화하여 여기되는 원자는 전자선 방사를 하지 않고, 완화하여 방출된다. 이 때, 이 오제전자의 스펙트럼을 측정하여 시료표면 근방에 존재하는 원자를 분석하는 방법.
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이온마이크로프로브분석법 IM(M)A - ion micro probe(mass) analysis method
일차이온을 직경 1～2마이크로미터(㎛)의 점에 집중시켜, 이 일차이온으로 표면물질을 스퍼터이온화하여, 질량분석계로 분석하는 방법. 시료표면의 원소 혹은 동위체 분포는 일차이온빔의 동기조사와 오실로스코프를 이용하여, 확대상으로서 표시한다.
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반사고속전자선회절법 RHEED - reflection high energy electron diffraction method
고속전자선을 입사각을 작게하여 입사시켜, 반사 또는 표면에 미소하게 볼록한 부분(凸部)에서의 투과회절로 패턴의 상을 맺는(결상) 방법.
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적외선토모그래프 IR - LST - infrared laser scattering tomography
적외선을 Si 웨이퍼의 표면 또는, 쪼갬면에서 조사할 때, Si 웨이퍼 안의 벌크․마이크로․결함(defect)과 OSF 등의 미소결함으로 산란한 빛을 쪼갬면 또는 표면에서 관찰하여 웨이퍼 안의 미소결함의 크기, 분포를 측정하는 장치.
