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외관검사장치 - visual inspection system

마스크의 패턴 결함과, 패턴의 모양, 유리표면의 흠, 오염, 얼룩 등을 레이저광과 투과광을 이용하여 자동적으로 검사하는 장치.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
웨넬트 그리드 - Wehnelt grid

전자총의 구성요소 중 하나로써, 전자의 방사량(에미션 전류)을 제어하고, 전자를 빔의 형상으로 집속시키기 위한 전극. 캐소드에 대해 수백 V의 마이너스 전압(바이어스 전압)이 인가된다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
이물 - dust particle contamination

기판과 펠리클 위에 부착된 패턴 이외의 물질. 부유물, 레지스트, 오일 미스트(oil mist)가 있다.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
임계선폭반복성 - CD repeatability

마스크 위의 패턴을 여러 번 측정한 값들의 오차 정도.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
위상시프트 마스크 위상천이마스크 PSM - phase shift mask PSM

노광 파장을 변화시키지 않고, 노광 파장에 의존하는 포토 리소그래피(photo lithography)의 가공 한계를 크게 낮추기 위한 마스크로써, 라인/스페이스과 같은 패턴에 있어서, 이웃한 투광부로부터 조사되는 빛의 위상을 180。C로 반전시켜주면, 그 사이에 낀 차광부의 빛의 광도(intensity)가 0이 되어 이웃한 투광부가 분리되는 원리이다. 타이프(type)로써 (1)하프 톤(half tone) (2)레벤슨 (3)보조 패턴 (4)에지(edge)강조 (5)크롬리스형이 있다.

반/디 용어집 기본․공통 마스크제조공정
일차전자 - primary electron

전자총에서 방사되어 고체표면에 입사되는 전자

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
임계선폭정밀도 - CD accuracy

일반적으로, 임계선폭(CD) 즉, 100㎛ 이하 패턴의 선폭과 간극, 패턴 위치 등의 정밀도. 노광량, 현상조건, 식각조건 등의 프로세스 파라메터 관리와 제품의 치수관리에 이용된다.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
위치정밀도 - pattern position accuracy

비교 기준을 기초로 하여 절대적, 상대적 위치 정밀도로 나눈다. 절대적 위치 정밀도는 본래 원하는 설계위치와 가판 위에 묘화된 패턴 위치와의 차이의 정밀도이고, 상대적 위치정밀도는 비교 기준이 되는 마스크 위의 패턴과 검사대상인 마스크 위의 패턴 위치와의 차이의 정밀도를 말한다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
윤곽묘화 - framing exposure

묘화장치로 묘화하는 패턴을 일정폭의 윤곽과 내측(內側)으로 분리하여, 각각 노광하는 것. 근접효과에 의한 묘화 패턴의 선폭과 형상이 설계값과 틀려지는 것을, 이 방법으로 감소시킬 수 있다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정

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마찰계수 - friction coefficient

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유동박리 - flow separation

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위치정밀도 - pattern position accuracy

윤곽묘화 - framing exposure

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