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Sato 에칭 - Sato etching

실리콘단결정의 결함을 광학적으로 평가하는 방법의 하나. 이것의 조성은 HF:HNO:CH3COOH:H2O=1:15:3:1의 약품으로, Wright 에칭액과 같은 식각특성을 갖고, 환경대책으로써, 크롬을 포함하지 않는 조성을 갖는다.

반/디 용어집 검사 표면 결함․이물검출
P편광브루스터각입산산소농도측정법 PPB - measurement method of oxygen by spectro scopy with P - polarized radiation at the Brews - ter angle

Si 웨이퍼 속의 산소농도를 적외선 흡수법으로 측정할 때, 적외선 P편광을, 브루스터각으로 입사시켜, 웨이퍼 속의 격자간 산소농도를 측정하는 기술. 반도체 디바이스용 Si 웨이퍼는, 보통 한쪽 면을 거울면연마하여 수백미크론 두께로 얇기 때문에, 종래의 수직입사적외선투과법으로는 입사광이 웨이퍼 안으로 다중 반사하여, 농도를 측정하는데, 본래의 거울면 웨이퍼 산소농도를 고정밀도로 측정할 수 있다.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
적층결함 - stacking fault

면결함의 하나로써, 한 개의 원자면 위에 틀린 순서로 적층되어 발생하는 결함. 즉 원래의 적층에 대하여, 한층 더 들어가던지, 또는 한층이 빠진 구조로 되어있다. 주고 결정성장 중에 발생하며, 특히 에피택셜성장한 Si 웨이퍼를 산소중에 가열한 표면에서 나타난다.

반/디 용어집 특성용어 검사
초음파방식 - ultrasonic sensing method

초음파를 음원(音源)으로 하고, 표면에서 반사되어 나오는 시간을 검출하여, 물체의 두께․ 평탄도를 측정하는 방식.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
전자프로브마이크로분석법 - electron probe micro analysis

시료에 살짝 접촉시킨 높은 에너지의 전자프로브를 조사(照射)하여 여기(excitation)되면 시료에서 특성 X선이 방사되고, 이 스펙트럼선의 파장 및 강도로부터 시료의 미소영역에서 정성분석 및 정량분석하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
홀 효과 - Hall effect

길이, 폭, 두께의 반도체에 전류를 흘려, 전류에 수직인 자기장를 걸어주면 출력단자 사이에 전압가 나타나는 현상. C654 , (홀 계수) C654-2 의 관계에 의해 반도체 속의 캐리어농도를 구할 수 있다.

반/디 용어집 특성용어 검사
PUA - percent usable area

FQA의 속에서 평탄도규격을 만족하는 영역의 비율(%).

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
MCL - metal contamination level

실리콘 웨이퍼의 표면금속오염양을 표시하는 단위의 하나로, 실리콘 웨이퍼의 단위면적당 존재하는 금속불순물의 원자수로 나타낸다.(1MCL=1010atoms/㎠) 또, 표면금속오염량의 개념을 표시하는 용어로써 사용되는 것도 있다.

반/디 용어집 검사 표면 결함․이물검출
최적피트면기준 - best fit plane reference

FAQ 안에 어떤 측정점을 사용하여 최소자승법으로 정해진 평면을 기준으로 하는 방법.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

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