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i형반도체 진성반도체 - i - type semi conductor intrinsic semiconductor

반도체에 있어서 열에너지로 홀과 전자가 같은 수로 발생하여, 이 두 개가 전하을 지니는 캐리어로써 전류를 운반하는 특성을 갖는 반도체.

반/디 용어집 특성용어 검사
접시모양피트 - shallow pit saucer pit

무전위실리콘의 (111)면을 Sirtl 에칭할 때에, 전위피트와 다른, 밑이 얕은 접시모양의 에치피트로 보여지는 결함. 이 결함은 X선 토포그래피(topography)에 의하여는 콘트래스트를 만들지 못하기 때문에, 이 왜곡은 극히 미세한 영역 외에는 확산되지 않는다는 것이 고려되고 있다.

반/디 용어집 특성용어 검사
전위밀도 EPD - dislocation density etch pit density

결정중의 전위량. 전위량을 나타내는 것에는 두 가지 방법이 있다. ①단위면적당 나오는 전위선의 개수로 표시하는 방법. 일반적으로는 단위면적당(전위에 의한) 에치피트수로 나타내고, 이것을 EPD라고 부른다. 단위는 개/㎠로 나타낸다. ②단위체적당 전위수의 길이를 모두 합한 것으로, 단위는 ㎝/㎤로 나타낸다. 전위는 시료 중에 불균일하게 분포하므로, 일반적으로 여러 면에서 측정하여 이 평균값를 이용한다.

반/디 용어집 특성용어 검사
표면광여전력법 SPV - surface photovoltaic method

pn접합 등에 광프로브를 쏠 때에 발생하는 광기전력을 이차원상으로 기록하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
피조간섭계반식 - Fizeau interferometer method

측정하려는 물체 표면에 대해 빛을 수직으로 투사하여, 이 반사광과 기준면에서의 반사광으로 형성된 간섭무늬에 의해, 표면의 평탄도를 측정하는 방법.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
LTV - local thickness variation

사이트 TIR의 하나로, 흡착고정 등에 의해, 웨이퍼 뒷면을 교정한 상태에서, 각 사이트마다 측정할 때의 최대두께와 최소두께의 차.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
환경제어형주사전자현미경 - environmental scanning electron microscope

시료실을 저진공 10～2700Pa로 제어하고, 전자빔을 시료 위를 주사하여, 시료에 의해 발생하는 이차전자를 검출한 표면모양을 관찰기록하는 전자현미경.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
핵자기공명법 NMR - nuclear magnetic resonance method

외부자계 중에 핵 스핀을 둠으로써 발생하는 제만준위간 천이에 의해 공명흡수스펙트럼을 측정하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
X선광전자분광법 XPS - X - ray photo - electron spectro - scopy

시료에 일정한 에너지의 X선을 조사하여, 발생하는 광전자의 운동에너지를 측정하여, 시료구성원자의 화학적 시프트에 의해 결합상태를 확인하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사

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