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TTV GBIR - total thickness variation global backside ideal range

웨이퍼의 평탄도 적용영역에서의 두께(뒷면기준면에서의 거리)의 최대값과 최소값과의 차.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
TIR - total indicator reading

흡착고정 등에 의해, 웨이퍼 표면을 평면으로 교정한 상태에서, 지정된 글로벌 표면기준면에서의 FAQ 안의 웨이퍼표면높이의 최대값과 최소값의 차.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
조사형터널현미경법 STM - scanning tunneling microscopy

전계방사전류가 탐침과 시료 사이의 거리에 의존하는 것을 이용하여 시료표면의 원자레벨의 굴곡을 터널전류의 변화로 탐지하고, 탐침의 움직임을 화상으로 표시하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
전위(轉位) - dislocation

결정의 격자결함의 하나로, 결정내부에서 매끄러운 부분과 매끄럽지 않은 부분과의 사이의 경계로써 나타나며, 부분적으로 결정격자가 잘려진 부분이 선 모양으로 연결되는 선.

반/디 용어집 특성용어 검사
주입발광법EL - electro - luminescence method

순방향바이어스를 인가하여 주입된 소수캐리어가 재결합할 때에 방출되는 빛을 분광 분석하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
저속전자선회절법 - low energy electron diffraction method

5～500전자볼트(eV)정도의 동일한 에너지의 전자가 이용되며, 표면으로 산란될 때, 이 에너지를 잃지 않는 전자만을 선택적으로 가속, 형광판의 위의 회절상을 맺는 방법. 단결정의 원자구조를 연구하기 위한 기술.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
n형반도체 - n - type semiconductor

전자가 다수의 캐리어로 되는 반도체. 진성반도체(i형반도체)에 불순물로써 5가의 원자를 넣어주면(Si와 Ge반도체의 예를들면) 여분의 전자가 나와 전류가 흐른다.

반/디 용어집 특성용어 검사
확산저항법 SR - spreading resistance method

저항률ρ의 반도체 중에 점접촉하는 침 끝에서 전류가 넓게 확산되어 흐를 때 발생하는 전압강하는 I․Rs로 되고, 이 Rs를 확산저항이라고 한다. 전류는 침끝에서 반도체 중에 급속하게 확산되기 때문에, 전압강하는 대부분 침의 접촉면 근방에서 발생한다. 이 원리를 이용하여, Si 웨이퍼의 표면근방의 저항률을 측정하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
Secco 에칭 - Secco etching

실리콘단결정의 결함을 광학적으로 평가하는 방법의 하나. 이것의조성은 HF:K2Cr2O7=2:1의 약품으로 면방위<100>의 결정에 적용되는 액의 조성을 갖는다.

반/디 용어집 검사 표면 결함․이물검출

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

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Secco 에칭 - Secco etching

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