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비저항(比抵抗) - resistivity

전자(정공)의 이동도()와 농도()에 관계된 양으로, 반도체 속에서의 전류가 얼마나 쉽게 흐르는 가를 나타내는 지표. C649 :전하

반/디 용어집 특성용어 검사
벌크결함 - bulk defect

실리콘 웨이퍼의 결함을 나타낼 때, 웨이퍼의 표면보다 수㎛이상의 깊이의 부분에 발생하는 결함. 이것에 대응하여, 웨이퍼의 표면에서 10㎛이내의 표면층에서 발생하는 결함은 결정자신뿐만 아니라 가공공정에 기인하는 결함도 포함될 가능성이 있다. 가공에 기인하는 결함을 제외한, 오직 결정때문에 발생하는 결함을 나타내기 위하여, 특히 벌크결함이라고 한다.

반/디 용어집 특성용어 검사
적외선토모그래프 IR - LST - infrared laser scattering tomography

적외선을 Si 웨이퍼의 표면 또는, 쪼갬면에서 조사할 때, Si 웨이퍼 안의 벌크․마이크로․결함(defect)과 OSF 등의 미소결함으로 산란한 빛을 쪼갬면 또는 표면에서 관찰하여 웨이퍼 안의 미소결함의 크기, 분포를 측정하는 장치.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
선결함 - line defect

결정격자가 잘려진 부분이 선모양으로 연결되는 선으로 전위를 말한다.

반/디 용어집 특성용어 검사
주사투과형전자현미경 STEM - scanning transmiss - ion electron microscope

얇게 자른 시료를 투과한, 극히 가는 전자빔으로 주사할 때, 시료의 원자번호 또는 결정구조의 변화를 이용하여 검사장치가 만들어내는 상의 밝기를 화상으로 보여주는 현미경

반/디 용어집 물성검사장치 검사
전반산형광X선분석법 TXRF TRXRF - total reflection X - ray fluorescence analysis

실리콘웨이퍼와 같은 평탄한 시료를 얕은 각도에서 X선을 입사시켜, 시료표면 위에 전반사 되도록하여, 시료표면의 원자만을 여기시켜, 시료표면의 불순물을 분석하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
적외선흡수분석법 - infrared absorption spectro - scopy

적외선의 파장을 변화시켜 빛을 비출 때, 분자진동으로 발생하는 에너지의 흡수스펙트럼을 측정하는 방법.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
중심면 - medium surface

웨이퍼표면과 이면의 중점을 맺어 얻어지는 면.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
OSF - oxidation induced stacking fault

실리콘을 산화하여 표면 혹은 내부에 발생하는 적층결함. 이것의 요인으로써는 결정표면을 연마하는 사이에 생기는 기계적손상, HF에 의한 표면오염, 중금속의 오염을 포함하는 표면결함 같은 외인적 요인 및 열처리에 의해 발생하는 점결함의 응집과, 결정 grown-in 결함인 스월(swirl)결함 또는 산소석출 등의 내인적 요인이 있다.

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OSF - oxidation induced stacking fault

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