고에너지의 전자선에 의해 이온화하여 여기되는 원자는 전자선 방사를 하지 않고, 완화하여 방출된다. 이 때, 이 오제전자의 스펙트럼을 측정하여 시료표면 근방에 존재하는 원자를 분석하는 방법.
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웨이퍼디스토션 - wafer distortion
기계적인 칼과 열과 적층막의 응력 등의 영향에 의해 발생하는, 웨이퍼의 변형을 가리키는 것.
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이온마이크로프로브분석법 IM(M)A - ion micro probe(mass) analysis method
일차이온을 직경 1～2마이크로미터(㎛)의 점에 집중시켜, 이 일차이온으로 표면물질을 스퍼터이온화하여, 질량분석계로 분석하는 방법. 시료표면의 원소 혹은 동위체 분포는 일차이온빔의 동기조사와 오실로스코프를 이용하여, 확대상으로서 표시한다.
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이동도 - mobility
무질서한 운동이라던가 전기장과 외압을 주었을 때, 입자가 얼마나 쉽게 운동하는가를 나타내는 지표.
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사이트TIR - site TIR
흡착고정 등에 의해, 웨이퍼 뒷면을 평탄하게 교정한 상태에서, 각 사이트마다 지정된 기준면에서의 각 사이트표면 높이의 최대값과 최소값의 차.
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스월 - swirl
성장무늬(striation) 부근에서 발생하는 미소결함들을 말한다. 원기둥모양 결정의 주변부에서 발생하는 것은 결정에 포함되어 있는 미량의 산소의 응집에 의한 것이라는 것은 명백하지만, 중심부분을 점유하는 것은 산소라든가 탄소 등의 불가피적으로 포함된 미량불순에 의한 것인가, 고온에서 열역학적으로 유입된 격자결함이 냉각과 함께 응집된 것인가는 명확하지가 않다.
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불순물준위 - impurity level
반도체의 허용 에너지준위 이외의 반도체 속에 존재하는 불순물 원자부근에 전자 또는 정공이 포착되어 있는 상태에 대응하는 에너지준위. 즉, 각종의 격자결함에 의해 발생하는 같은 에너지준위도 불순물준위라고 부르는 경우도 있다.
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무전위결정 - dislocation free crystal
주기성의 변화가 비교적 적으며, 거의 완전하다고 여겨지는 결정. 이것을 거의 완전한 결정(nearly perfect crystal)또는 무전위결정이라고 한다. 광학적으로는 무전위결정은, 에칭법과 Lang법으로 볼 때, 전위가 검출되지 않는다는 점에서는 이것만 완전결정에 가깝다고 여겨진다. 그러나, 여전히 검출되지 않는 결함이 남아있다.
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반사고속전자선회절법 RHEED - reflection high energy electron diffraction method
고속전자선을 입사각을 작게하여 입사시켜, 반사 또는 표면에 미소하게 볼록한 부분(凸部)에서의 투과회절로 패턴의 상을 맺는(결상) 방법.
