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5점두께변화 - five points thickness variation

웨이퍼면애의 진정된 다섯점에서의 두께의 최대값과 최소값의 차.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
고압전자현미경법 HVEM - high voltage electron microscopy

가속전압이 보통의 전자현미경의 40～100kV에 대하여, 106V정도의 전자현미경. 시료투과율의 향상, 시료손상의 경감, 이론적 해상도의 향상 및 효과적으로 암시야(暗視野)조작 등이 가능하다.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
결정입계 - grain boundary

각 결정축간의 경계면.

반/디 용어집 특성용어 검사
가공층 - work damage layer

Si 웨이퍼제조공정에서 슬라이스, 래핑 등의 기계가공을 할 때, 웨이퍼의 표면에는 비정질층, 다결정질층, 모사이크 구조층 등이 발생하는데, 이것에 함께 생기는 왜곡이 있는 층. 이들 결함은 제거가 불충분하면, 디바이스제조공정에서결정결함의 발생원인으로 되어 얻어지므로 항상 주의를 기울여야 한다.

반/디 용어집 특성용어 검사
라이프타임 - life time

반도체 속의 전자 또는 정공이 각각의 전하상태를 유지하며 존재하는 평균적인 시간.

반/디 용어집 특성용어 검사
두께 - thickness

웨이퍼의 동일한 점에 있어서 앞면과 뒷면과의 거리.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
뒷면기준 이면기준 - back side reference

웨이퍼이면에 접하는 면을 기준으로 하는 방법.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
기준면 - reference plane

웨이퍼 평탄도를 측정하거나 웨이퍼면을 노광할 때에 기준이 되는 평면.

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두께변화 - thickness variation

웨이퍼면내에서의 두께변화.

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