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LSTD - laser scattering tomography defect

레이저 산란 토모그래피법에 의해 검출되는 Si 웨이퍼 속의 미소결함. Si 매트릭스와 미소결함과의 굴절률 차이를 기초로 하여 광산란을 검출한다. 미소한 산소석출물과 공극의 응집체를 미소결함으로써 검출할 수 있다.

반/디 용어집 특성용어 검사
주사형오제전자현미경SAM - scanning Auger electron microscope

마이크로전자빔을 주사하여, AES를 실시하는 전자현미경.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
점결함 - point defect

한 개, 어떤 경우에는 복수개 격자부에서 결정의 대칭성이 손상된 결함.

반/디 용어집 특성용어 검사
주사형전자현미경 SEM - scanning electron microscope

직경 수 nm의 전자빔이 계통적으로 시료의 위를 제거하고, 빔이 시료와 충돌하는 점에서 발생하는 이차전자와 반사전자의 강도를 일차빔 주사와 동기시켜 기록하는 전자현미경.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
투과형전자현미경 - transmission electron microscope

일차열전자 또는 전계에 의한 전자의 회절, 혹은 투과확대상(像)을 기록하는 전자현미경.

반/디 용어집 물성검사장치 검사
헤이즈 - haze

Si 웨이퍼의 외관검사에 사용되는 용어로, 웨이퍼를 스포트라이트로 조사할 대 웨이퍼 표면이 희게 보이는 표면상태, 또는 스포트라이트의 필라멘트상이 비치는 표면상태.

반/디 용어집 특성용어 검사
Sirtl 에칭 - Sirtl etching

실리콘단결정의 결함을 광학적으로 평가하는 방법의 하나. 이것의 조성은 HF:CrO3=1:1의 약품으로, 면방위<111>의 결정결함검사에 적용되는 액의 조성을 갖는다.

반/디 용어집 검사 표면 결함․이물검출
초점면 - focal plane

노광장치에서 광학계가 초점을 맺는 면.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
평탄도적용영역 FQA - flatness quality area

주변부를 제외한 영역을 포함하며, 평탄도의 규격이 적용되는 영역.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

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