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플라즈마분리형 플라즈마 식각장치 - downstream plasma etching system

플라즈마 발생실과 식각실이 분리되어, 플라즈마 발생실에서 생성된 비교적 긴 수명의 중성라디칼을 식각실로 운송하여 웨이퍼를 식각하는 플라즈마 식각장치.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
후처리실 - post - treatment chamber

동일 장치내에 있어, 주 식각공정 후의 웨이퍼를 처리하는 방. 애프터코로젼(aftercorrosion) 대책의 처리실이 이 예이다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
플라즈마 오염 - plasma contaminat - ion

플라즈마 중에 일어나는 오염. 오염물의 생성원인으로써는 식각잔재와 같은 것뿐만 아니라, 장치를 구성하는 재료의 중금속, Na+ 등의 알칼리이온 등이 있다. 오명물이 표면에 퇴적되거나, 내부로 들어가는 경우가 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
트라이어드형 RIE장치 - triode reactive ion etching system

웨이퍼를 놓은 한 쌍의 전극과는 별개로 제 3전극을 식각실내에 설치하여, 이 제 3전극의 전위를 독립적으로 제어하여, 식각특성을 제어하는 반응성이온 식각장치. 제 3전극은 부유전위로 하는 경우와 직류전압 또는 고주파전압을 인가하는 경우가 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
전자사이클로트론공명 ECR - electron cyclotron resonance

하나의 자계 중에서 자계에 수직인 면의 속도성분만을 갖는 전자가 등속원운동(사이클로트론운동)을 하면서, 외부교번자계에 의한 에너지를 흡수하어 속도가 증가하는 현상. 일반적으로 주파수 2.45GHz의 마이크로파와 자장강도 87.5mT의 공명조건을 이용한다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
패턴시프트 치수변환량 - patternshift critical dimension loss

그림에 도시된 것처럼, 식각 전의 식각마스크의 선폭에서 완성된 식각 재료의 선폭 또는을 뺀 값으로써, 다음식에 의해 구해진다. 패턴시프트=- 또는 -

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
헥소드형 RIE장치 - hexode type reactive ion etching system

육각기둥 모양의 고주파전극을 식각실내에 설치하여, 이 전극 위에 웨이퍼를 부착하여 식각하는 반응성이온 식각장치.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
타임 모듈 레이션식각 - time modulation etching

플라즈마의 발생과 바이어스 전원의 온/오프 등을, 마이크로 초(micro-second)에서 밀리 초(millisecond)까지의 차수로 시간변조시켜 식각하는 방법. 플라즈마를 펄스변조하여 식각하는 방법을 특히, 펄스변조식각이라고 한다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
헬리컬형 식각장치 - helical etching system

유도결합 안테나가, 기둥 모양의 유전체 플라즈마생성실 주위를 둘러싼 코일인 유전결합형 플라즈마식각장치

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정

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