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헬리콘파 식각장치 - helicon etching system

자기장을 따라 전파되는 전자파의 일종인 헬리콘파와 전자의 상호작용(랜다우 감쇄)에 의해 생성되는 플라즈마를 이용한 플라즈마식각장치

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
측벽보호막 - sidewall protection layer

레지스트의 분해물과 반응생성물로 이루어지는, 측벽의 측면식각(side etching)을 방지하기 위한 막.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
트렌치식각 - trench etching

실리콘 웨이퍼 중에 미세하게 패인 홈을 형성하는 식각. 소자분리층, 커패시터층을 형성할 때 사용된다.

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ECR 식각장치 - eletron cyclotron resonance etching system

ECR(전자사이클로트론 공명)을 이용하여 웨이퍼를 식각하는 자기장마이크로파 식각장치.

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언더컷 측방식각 - undercut side etching

식각마스크 재료의 끝부분보다 측면방향의 식각되는 재료의 식각이 진행되어, 식각되는 재료의 패턴폭이, 식각마스크 폭보다 감소된 상태. 용액의 식각과 라디칼(radical)의 플라즈마 식각에 현저하게 보인다. 미세패턴의 형성에는, 언더컷을 작게하는 것이 중요한 기술이다.

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부하효과 로딩효과 - loading effect

식각속도가 식각면적 의존성을 표시하여, 일반적으로 식각면적이 증가하는 쪽이 식각속도가 낮아지는 현상.

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플라즈마 손상 - plasma damage

플라즈마를 조사(照射)하는 것에 의한 손상. 이것들은 크게 다음의 3가지로 나눈다. (1) 전극근방에서 발생하는 이온 시스에 의해 가속된 이온과, 웨이퍼와 충돌로 인해 생기는 식각표면의 결합파괴. (2) 방전과 함께 발생하는 플라즈마 중에, 특정한 파장이 웨이퍼에 조사되어 일어나는 이른바 조사손상(照射損傷). (3) 플라즈마 중의 하전입자의 축적에 의한 얇은 절연막(게이트 산화 등)의 정전파괴.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
플라즈마 식각장치 - plasma etching system

반응성 가스 플라즈마를 이용한 건식식각장치인데, 웨이퍼의 전위가 아주 높은 부유전위(floating voltage)여야 하는 식각장치. 주로 중성라디칼의 작용으로 식각이 진행된다.

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표면파 플라즈마 - surface wave plasma

플라즈마의 표면에 유기된 표면파에 의해 주로 생성되는 플라즈마. 전형적으로는 유리관을 따라 생성된 길이가 긴 플라즈마. 최근에는 대면적플라즈마의 생성에 표면파 플라즈마를 적용하려는 시도도 있다. 또, 유전체선로로 전파되는 표면파의 누설 전기장에 의해 생성되는 플라즈파를 표면파 플라즈마라고 부르는 것도 있다.

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