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식각선택비 식각선택성 - etch selectivity

식각되는 물질의 식각량과, 식각마스크 재료 및 식각마스크 밑의 재료의 식각량과의 비. 식각선택비=a/b a : 식각되는 재료의 식각량 b : 식각마스크재료 및 식각마스크 밑의 재료의 식각량

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
식각종점 검출 - etching end point detection

식각의 종점(終點)을 자동적으로 검출하는 것. 검출방법으로서 다음의 방법이 있다. (1)분광분석법 (2)질량분석법 (3)광학반사법(레이저간섭법) (4)인피던스모니터법 (5)압력모니터법 (6)탐침법 (7)적외선흡수법

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
셀프바이어스 양극전압강하 - self bias

고주파에 의해 방전하는 경우, 전자와 이온의 이동도가 크게 다를 때, 결합콘덴서에 걸리는 전계에 의해, 고주파전극표면에 발생되는 전극전압강하. 보통 라로 표시한다.

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자동전원제어 - automatic pressure control

처리실내의 압력을 자동적으로 제어하는 것. 현재는, 처리실내의 가스 유량을 일정하게 하여, 압력의 피드백(feedback)을 걸어주어, 배기계의 컨덕턴스를 자동적으로 조정하는 방법이 일반적이다. 간단하게는 배기계의 컨덕턴스를 변화시키지 않고, 가스유량을 변화시켜 처리실내의 압력을 제어하는 것도 있다.

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전자쉐이딩 효과 - electron shading effect

이온이 수직입사할 때에, 전자는 비스듬히 입사되기 때문에 레지스트 패턴의 측벽을 음(-)으로 차지업시켜, 조밀한 패턴부에서는 전자가 이 음전하와 반발하여 비교적 저속의 전자는 패턴 밑으로 입사되지 않는 현상.

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활성원자 라디칼 - activated species radical

빛․열 등의 에너지를 흡수하여, 에너지가 높은 상태로 여기시켜, 화학반응을 일으키기 쉬운 상태로 되어 있는 원자와 분자. 식각 가스에 고주파와 마이크로파를 인가하면 플라즈마 중에 발생하고 이것들이 막과 반응하여 식각이 진행된다. 라디칼, 유리기(遊離基) 등으로도 불리운다.

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테이퍼식각 - taper etching

배선패턴․전극 등의 단면형상이 경사지도록 식각하는 것. 또는 이런 상태.

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접지전극 양극 - ground electrode anode

고주파전극과 마주보도록 설계된 전극. 일반적으로는 양극이 된다.

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좁은형 RIE장치 - narrow gap reactive ion etching system

전극 사이가 좁은(5～10㎜ 정도) 평행평판형 반응성이온 식각장치. 비교적 고압영역에서 가스를 방전하여, 높은 이온전류가 얻어진다.

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

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유동박리 - flow separation

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테이퍼식각 - taper etching

접지전극 양극 - ground electrode anode

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