반디통 용어집

CAE 입문자도 쉽게 이해할 수 있는 '알기 쉬운 기술 용어집'

CAE 용어집

CAE 관련 용어를 확인해 보세요.

반/디 용어집

반도체 / 디스플레이 공정 및 장비 관련 용어를 확인해 보세요.

통신 용어집

통신 분야의 다양한 용어를 확인해 보세요.

All
CAE
반도체∙디스플레이
통신

안테나비 - antenna ratio

MOS소자 구조에 있어서, 식각 중에 플라즈마에 노출된 배선중에서 하전입자가 유입된 총면적 S와 이 배선에 연결된 게이트전극의 면적 Sa의 비 S/Sa로 표현되는 단위가 없는 양. 차지업(charge-up)에 기인하는 게이트 산화막 신뢰성열화를 평가할 때 지표가 된다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
어스펙트비 - aspect ratio

현상된 레지스트막 또는 식각으로 웨이퍼 위에 형성된 패턴의 깊이와 폭의 비. 어스펙트비=b/a (a : 식각폭, b : 식각의 깊이)

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
반응성이온빔식각장치 RIBE 장치 - reactive ion beam etching system RIBE

반응성가스에 의한 플라즈마를 이온원에서 발생시켜, 반응성가스 이온 및 중성라디칼를, 이온원과 분리된 시료대 위의 웨이퍼에 조사하여 식각을 진행하는 장치.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
져스트에칭 - just etching

식각되는 재료의 막두께와 같은 깊이의 식각을 하는 것, 또는 이런 상태.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
에치백 - etch back

웨이퍼 위에 형성된 굴곡을 매립하는 것처럼 막을 씌워, 이것을 전면식각하여, 웨이퍼 표면을 평탄화하는 방법. 층간절연막의 평탄화와 콘택트의 매립 등에 이용된다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
식각속도 - etch rate

식각되는 재료의 두께 또는 깊이를 식각시간으로 나눈 것.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
SAC식각 - self - aligned contact etching

산화막과 마주보며 높은 선택비가 가능한 스토퍼(stopper)절연막을 이용하여, 배선층과 마주보며 자기정합적으로 콘택홀(contact hole)을 만드는 기술. 정렬부정합과 레지스트의 가공부정합이 있어도, 콘택홀 면적이 안정하게 확보될 수 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
스퍼터식각 - sputter etching

불활성가스이온의 스퍼터효과에 의한 식각. 금속퇴적의 전처리(前處理)와 굽은 부분의 평탄화 등에 사용되고 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
식각개구률 - exposed area ratio

식각되는 면적과 웨이퍼 전체의 면적의 비율

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정

기술용어통 처음으로

반디통 용어집

CAE 용어집

반/디 용어집

통신 용어집

자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

안테나비 - antenna ratio

어스펙트비 - aspect ratio

반응성이온빔식각장치 RIBE 장치 - reactive ion beam etching system RIBE

져스트에칭 - just etching

에치백 - etch back

식각속도 - etch rate

SAC식각 - self - aligned contact etching

스퍼터식각 - sputter etching

식각개구률 - exposed area ratio

더 빠른 설계를 위한 첫 걸음!