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이방성식각 - anisotropic etching

깊이 방향의 식각속도가 수평방향보다 큰 경우로써, 식각속도가 방향의존성을 갖는 것. 이방성이 클 경우, 깊이(수직)방향의 식각만 일어난다. 미세패턴 가공, 콘택, 측벽스페이서를 만드는데 이용된다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
자기장 마이크로파 식각장치 - magneto - microwave plasma etching system

마이크로파와 자기장에 의해 고밀도 플라즈마를 발생시키는 이온원을 이용하여, 반응성가스 이온과 중성라디칼을 생성하고, 웨이퍼에 조사하여 식각하는 반응성이온빔 식각장치.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
이온빔 식각장치 이온밀링 장치 - ion beam etching system ion milling system

이온원을 정전위 상태로 유지하고, 불활성가스를 이용하여 플라즈마를 생성하며, 이온원에 의해 불활성가스 이온을 인출하여 웨이퍼에 조사(照射)하고 식각하는 장치.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
유도결합 플라즈마 식각장치 - inductively coupled plasma etching system

고주파유도자기장에 의해 발생되는 유도전계에 의해 전자가 가속되는데, 이것에 의해 생성되는 플라즈마를 이용한 플라즈마식각장치. 유도결합 안테나의 모양에 따라, 기둥모양 코일(도시)과 평판 모양의 코일이 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
원통형 플라즈마 식각장치 - barrel type plasma etching ystem

원통형 식각실의 바깥 둘레에 전극을 설치하여, 식각실 안의 플라즈마에 의해 생성된 중성라디칼로 실내의 웨이퍼를 식각하는 플라즈마 식각장치. 식각실 안에 금속제 터널을 넣어, 하전입자가 웨이퍼에 입사되는 것을 억제하는 방식도 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
음극결합 - cathode coupling

한 쌍의 전극에서, 웨이퍼가 설치된 전극에 고주파를 인가하고, 다른 쪽의 전극을 접지전위로 하는 것.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
오버에칭 과식각 - overetching

식각되는 재료의 막두께보다 많이 식각하는 것, 또는 이런 상태.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
애프터코로젼 - after - corrosion

식각할 때에 웨이퍼에 부착된 염소(Cl2)와 반응생성물이 대기 중의 수분과 반응하여, 이것에 의해 식각 후에 Al배선 등이 부식되는 현상.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
면적효과 사이징효과 - sizing effect

큰 패턴과 작은 패턴을 동시에 식각할 때, 큰 패턴은 얕게 식각되고, 작은 패턴은 깊은 식각되는 것.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정

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