이온원에서 생성된 각종 이온 중에, 주입에 필요한 이온을 선별하는 분석 자석, 도파관 및 필요한 이온만을 통과시키는 분석슬릿으로 구성되어 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정도핑
FI - fouling index
공급수의 미량인 탁질을 정량화하는 지표. 측정방법 및 계산식을 다음과 같이 표시한다. 직경 47㎜이고, 구멍의 직경이 0.45㎜인 멤브레인필터를 이용하여, 시료수를 2.1kg/㎠의 가압차에서 여과할 때에 초기에 500㎖를 여과하는데 필요한 시간(T0)를 측정하고, 이어 같은 상태에서 15분간 계속해서 여과한 후에 500㎖를 여과하면서 필요한 시간(T1)을 측정하여, 다음의 식으로 구하여지는 값으로 표시한다. FI=C2069
반/디 용어집사공정신뢰성 검사
작동거리 - working distance
대물렌즈(또는 투영렌즈)의 자극편(磁極片)의 밑면으로부터 기판 표면까지의 거리
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
패밀리박스 패밀리헤드 - family box family head
피측정디바이스의 기능별로 공통된 신호계, 측정계 혹은 제어계를 포함하고 있는 장치. MPX용, AUDIO용, VIDEO용 등이 있다.
반/디 용어집사공정디버그
클린와이퍼 - clean wiper
청정실 안에서 사용되는 먼지가 적은 불식포(걸레). 청정하게 할 대상물에 따라 소재가 구분되어 사용된다.
반/디 용어집청정실설비․환경공정
SAC식각 - self - aligned contact etching
산화막과 마주보며 높은 선택비가 가능한 스토퍼(stopper)절연막을 이용하여, 배선층과 마주보며 자기정합적으로 콘택홀(contact hole)을 만드는 기술. 정렬부정합과 레지스트의 가공부정합이 있어도, 콘택홀 면적이 안정하게 확보될 수 있다.
반/디 용어집건식식각장치웨이퍼처리공정
펄스히트툴 - pulse heated thermode pulse heat tool
금속에 큰 전류를 단시간에 흘려주어 발생한 열로 본딩하는 압착툴.
반/디 용어집조립공정본딩
핀 척 - pin chuck
웨이퍼를 흡착유지하기 위한 척인데, 웨이퍼 뒷면과 척 표면 지지부분에 접촉면적이 적게 하기 위해, 웨이퍼를 지지하는 부분에 핀모양의 돌기를 다수 배열한 척.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
페이스다운본딩 - face down bonding face bonding
집적회로용 반도체칩에 미리 붙여놓은 표면적극 또는 배선용리드와 절연용기판 위에 형성된 배선용 전극을 표면끼리 서로 마주보게 밀착시켜, 전기적으로 접속하는 것.
