웨이퍼 속의 주입량과 SIMS, 원자흡광분석 등의 정량분석을 이용하여, 아래의 식을 이용하여 산출한다. 오염양[％, ppm] C954 이온주입장치에는, 혼합 이온빔전류와 원하는 이온빔전류와의 비로 표시하는 경우도 있다.
반/디 용어집이온 주입장치웨이퍼처리공정
열압착본딩 - thermocom - pression bonding
열압착와이어본더를 이용하여 접합하는 방법으로, 와이어본딩의 외에 다이본딩, 테이프본딩 등에 사용된다.
반/디 용어집조립공정본딩
웨이퍼테이블 흡착스테이지 척 - wafer table chuck
프로브 등으로 웨이퍼 위의 각 칩의 위치를 정하기 위하여 웨이퍼를 고정․지지하는 부품.
반/디 용어집사공정핸들링
와이어본딩 - wire bonding
반도체칩상의 접속전극과 패키지의 외부인출용 단자 사이를 본딩와이어로 접속시키는 것. 접속하는 금속에 압력을 가하여, 열, 초음파진동 또는 이 둘을 가하여 접합한다.
반/디 용어집조립공정본딩
잉커 잉크 마커 - inker
프로버 등으로 각 칩의 테스트결과의 식별을 위하여 칩의 잉크를 부착하는 기구.
반/디 용어집사공정핸들링
웨이퍼디스토션 - wafer distortion
기계적인 칼과 열과 적층막의 응력 등의 영향에 의해 발생하는, 웨이퍼의 변형을 가리키는 것.
반/디 용어집검사웨이퍼제공정
웨이퍼폭 축소탑재장치 - wafer group closing mechanism
카세트리스(cassetteless) 웨이퍼스테이션에 있어서, 50장의 웨이퍼를 일괄처리하기 위해 로딩(loading)할 때, 서로 떨어진 두 카세트에서 골라낸 25장의 웨이퍼 두 그룹을, 마치 50장용의 카세트에 넣은 것처럼 근접시켜, 로봇 척에 탑재하는 장치. 25장의 웨이퍼를 탑재한 2개의 척을 근접시켜 50장을 일괄운송하는 방식도 있다. 세정조(cleaning bath)의 소형화가 가능하다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정습식세정장치
웨이퍼회전 오차 - wafer rotation error
노광할 때에 웨이퍼가 회전하면서 발생하는 정렬의 회전방향 오차.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
웨이퍼내 주입균일성 - dose uniformity
이온주입된 웨이퍼 표면의 불순물농도가 어느 정도 균일한가를 보여주는 지표. 이 평가방법으로, 보통 열처리한후 4탐침법(探針法)에 의해 웨이퍼 표면에 열 몇 개 점의 면저항률(시트저항)을 분석측정하여, 통계처리를 해 부정합을 구한다. 균일성=σ/ 는 측정시트저항값의 평균값에서 = / 단은 웨이퍼 시드저항값의 측정점의 개수,는 각측정점의 시드저항값. σ는 표준편차로 σ= C935
