마스크 블랭크의 모양, 막의 특성, 막 두께, 결함 이물 등을 검사하는 장치인데, 플래트니스 테스터(flatness tester), 간섭계, 광학식 농도계, 가시광선․자외선 분광 광도계, 저외선 분광 광도계, 주사(走査)형 터널전자현미경, 오제(Auger)전자현미경, 촉침식(觸針式)막후(膜厚)계, 에립소메타(ellipsometer), 주사형 전자현미경, EPMA, 이물검사장치 등이 있다.
반/디 용어집검사장치마스크 블랭크 제조
이차전자 - secondary electron
전자가 고체표면 또는 기체분자와 충돌할 경우, 충돌한 물질에서 새롭게 방출되는 저에너지의 전자.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
위상차(位相差) - phase shift
굴절률이 다른 두 개의 물질을 빛이 통과할 때의 빛의 속도 차이에 의해 발생하는 위상의 차이. 위상 시프트 마스크의 경우, 공기와의 위상차φ는 φ=2π(n-1)/λ [λ:빛의 파장, n:시프터의 굴절률, d:막의 두께] 로 표시된다.
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
에멀젼마스크 - emulsion mask
할로겐화 은유제(銀乳劑)를 사용하며, 여러 번 노광한 후 폐기한다.
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
하드마스크 - hard mask
마스크 종류 중에 하나로, 특히 차광막으로서 금속 등을 이용한 것. 에멀젼 마스크에 비하여 물리적, 화학적 내구성이 우수하다.
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
챔버 - chamber
결정성장에서 바깥 공기를 차단하고, 분위기를 유지하기 위해 설치한 용기. 구조상 석영관을 사용한 자연공랭형과 스테인레스망으로 만들어진 수랭형에서는 자켓구조, 동관으로 감긴 구조가 있다.
반/디 용어집챔버웨이퍼제공정
결정격자 - crystal lattice space lattice
결정을 구성하고 있는 원자와 그 주기적 공간 배열이 규칙적으로 배열되어 있고, 어떤 위치 관계를 가질 때, 일종의 골격으로 여겨지는 가공의 배열점을 격자라고 한다. 이 격자를 결정이라는 구체적인 구조물에 적용한 공간격자라 하고, 이것을 수학적 공간격자와 구별하여 결정격자라 한다.
반/디 용어집기본․공통웨이퍼제공정
결정계 - crystal system
결정을 분류하는 7개의 대분류. 입방정계, 정방정계, 육방정계, 삼방정계, 사방정계, 단사정계, 삼사정계로 나뉘며 결정의 주요 대칭 요소에 의한 분류한다.
반/디 용어집기본․공통결정계
포지티브레지스트 - positive resist
빛, X선 또는 전자빔으로 노광하면 현상액이 녹아, 현상할 때 기판 표면에서 제거되는 특성을 가진 감광성 재료로써, 내식각성이 강하고 콘트래스트～2.2정도로 높으며, 해상력이 뛰어나지만, 열적 특성이 떨어진다.
