수직의 패턴 모양과 높은 식각선택비를 얻기 위해, 보통의 건식식각의 처리온도보다 낮은 온도(0。C이하)에서 처리하는 식각.
반/디 용어집건식식각장치웨이퍼처리공정
콘택 근접 노광장치 - contact proximity aligner
한 대의 장치로 선택적으로 마스크와 웨이퍼를 밀착 또는 근접시켜 노광할 수 있는 노광장치. 밀착되어 노광하는 장치를 콘택노광장치, 근접하여 노광하는 장치를 근접노광장치라고 각각을 구별지어 부르는 경우도 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
형내압력 - internal die pressure
수지를 주입할 때, 금형캐비티에 발생하는 압력.
반/디 용어집패키지조립공정
정규로그 그래프 정규로그 플랏 - log - normal graph log - normal plot
반도체디바이스의 특성값과 부정합 등, 주로 정규분포에 따르는가를 평가하는 그래프. 전자이동성(electromigration)평가등에 이용된다.
반/디 용어집사공정에싱
흡착플레이트 - vacuum plate
웨이퍼와 플레이트 등을 흡착하여, 지지하는 플레이트 중에서, 매엽적으로 웨이퍼를 연마할 때에 웨이퍼를 고정시키기 위한 왁스지지판. 지지방법으로서 진공흡착방식과 템플레이트 어셈블리를 이용한 수(水)접착 등의 왁스리스방식이 있다. 플레이트의 재질은 세라믹스가 많이 사용되고 있다.
반/디 용어집웨이퍼제공정폴리싱장치-성능․정밀도
중압역침투막 - medium pressure reverse osmosis membrane
20~40 kg/㎠의 조작압력으로 운전하여 소정의 수량, 수질을 얻을수 있는 역침투막. 가장 일반적으로 이용되고 있으며, 초산셀룰로즈제 역침투막이 많다.
반/디 용어집설비․환경공정물
한외여과장치 UF장치 - ultrafiltration equipment
한외여과막을 이용하여 분자의 크기에 따라, 분리하는 압력여과장치. 분화분자량으로 수천~수십만정도의 영역으로 분리하는 장치. 한외여과막는, 중고사형한외여과막의 사용이 일반적이지만, 스파이럴(spiral)형 한외여과막도 있다.
반/디 용어집설비․환경공정물
표면마이크로파애싱장치 - surface microwave asher
석영챔버에 직접 고주파나 마이크로파를 인가하지 않고, 유전체에 인가한 후, 그 표면파로 플라즈마를 발생시키는 장치. 플라즈마의 균일성이 개선되어 광범위한 균일 플라즈마를 얻을 수 있다.
반/디 용어집애싱장치웨이퍼처리공정
증발농축장치 - evaporator
폐수를 증발분리에 의해, 용액의 농축 또는 증발성분을 분리하는 장치. 조작방식으로써는, 다중효용법, 다단플레쉬법, 증기압축법 등이 있다. 폐수처리로써는 증기압축법이 많이 사용되고 있으며, 증발결손이 발생한 증기를 압축기의 에어지원으로서 온도를 올리는 방법이다.