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후단가속 방식 - post acceleration system

질량분석 전에 이온빔을 20～40keV의 낮은 에너지로 가속하고, 질량분석 후에 필요한 에너지로 가속시키는 방식. 후단가속방식은 소형의 질량분석 자석으로, 보다 높은 에너지의 주입을 실현할 수 있다.

반/디 용어집 이온 주입장치 웨이퍼처리공정
핀홀 - pinhole

차광막․레지스트막 등에 존재하는 작은 구멍

반/디 용어집 마스크 블랭크 제조 마스크제조공정
패턴시프트 치수변환량 - patternshift critical dimension loss

그림에 도시된 것처럼, 식각 전의 식각마스크의 선폭에서 완성된 식각 재료의 선폭 또는을 뺀 값으로써, 다음식에 의해 구해진다. 패턴시프트=- 또는 -

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
자동직경제어시스템 - automatic diameter control system

결정성장중의 결정직경을 자동제어하는 시스템. 직경을 계측하는 방법으로, 결정중량방식. 방사온도계에 의한 광방식 및 결정직경을 직접 ITV카메라로 계측하며 제어하는 방식등이 있다.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 단결정제조
적층결함 - stacking fault

면결함의 하나로써, 한 개의 원자면 위에 틀린 순서로 적층되어 발생하는 결함. 즉 원래의 적층에 대하여, 한층 더 들어가던지, 또는 한층이 빠진 구조로 되어있다. 주고 결정성장 중에 발생하며, 특히 에피택셜성장한 Si 웨이퍼를 산소중에 가열한 표면에서 나타난다.

반/디 용어집 특성용어 검사
파형측정기능 - waveform measure - ment

측정하려는 시료에 가변위상의 펄스빔을 조사하여 이차전자를 방출시켜, 스펙트로메터(spectrometer)와 귀환루프를 이용하여, 각 위상에서의 전압을 측정하여 그것으로 파형을 구하는 것.

반/디 용어집 사공정 디버그
ECR 플라즈마 CVD장치 - electron coupling resonance plasma enhanced CVD system

마이크로파 도파관을 연결하고, 주위에 자기장 발생기기가 설치된 플라즈마실과, 웨이퍼를 수납하는 반응실로 구성된 CVD장치. 2.45GHz의 마이크로파와 875G(87.5mT)의 자기장에 의해, 고주파플라즈마를 발생시키는 이온원을 이용하여, 반응성가스를 분해하여 저온으로 웨이퍼 위에 박막을 형성한다.

반/디 용어집 CVD 장치 웨이퍼처리공정
SEM모니터 - SEM monitor

전자빔의 주사에 동기시켜서 CRT(브라운관)을 주사하면서 전자빔 주사에서 기판표면에서 발생하는 반사전자, 이차전자 등의 신호를 이용하여 CRT의 휘도를 변조함으로써, 기판표면의 확대상을 CRT위에 표시하는 장치.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
자외선산화장치 - ultraviolet - ray oxidation equipment

배수중의 유기물질을 자외선 조사하여 산화분해처리하는 장치. 산화제로써 과산화수조, 차아염소소다, 오존 등을 병용하는 경우가 많다.

반/디 용어집 초순수장치 설비․환경공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

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