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패턴 룰 - pattern rule

디바이스를 설계하는 경우 패턴의 수치단위(sizing) 및 레이아웃(layout)에 관한 규칙.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
팝핑현상 - poping

많은 양의 이온을 주입할 경우, 레지스트 표면에 수소원자가 빠져나가, 남아있는 탄소가 딱딱한 층을 만든다. 애싱속도를 증가시키기 위해 레지스트를 가열하면, 표면이 변질되어 크랙이 발생하고, 내부에서는 가스가 발생한다. 이때, 플라즈마처리를 하면, 표면의 크랙으로 라디칼이 침투하여 표면이 깨지면서 가스가 분출되는 현상.

반/디 용어집 애싱장치 웨이퍼처리공정
확산성 - wettability

다이와 패키지를 접합시키기 위하여 이용되는 접합재료가 확산되는 정도.

반/디 용어집 조립공정 본딩
집속이온빔 수정장치 FIB 리페어 - focused ion beam repair system

전자와 비교하여 질량이 무거운 이온을 가속, 집속시켜 마스크를 수정하는 장치. 반응성 가스를 불어넣은 카본 또는 금속을 석출하여 백결함을 수정하기도 하고, 마스크 표면의 크롬 등을 스퍼터링하여 흑결함을 수정할 수도 있다.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
PSL입자 표준입자 - polysylene latex particle standard particle

자동미립자계측기의 교정에 이용되는 표준입자. 단분산(單分散)에 매우 가까운 구형의 입자로 폴리스틸렌 라텍스의 약자. 각종 다양한 지름의 입자들이 시판되고 있으며, 액체미립자카운터, 광산란식카운터 및 표면부착입자측정기 등의 교정에 이용한다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
채널링 - channeling

결정로 또는 결정면을 따라 이온을 조사하면, 대부분의 이온은 결정 중에 원자핵, 전자와 크게 충돌하지 않고, 결정내부까지 침투할 수 있다. 이것을 채널링이라고 한다. 결정축을 따라 이온이 침투하는 것을 축채널링, 결정면을 따라 침투하는 것을 면채널링이라고 한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 도핑
Z - θ 스테이지 - Z - θ stage

프로브 등으로 웨이퍼를 상하 또는 회전방향으로 이동시키고, 또 웨이퍼의 높이와 회전각도를 설정하는 기구부.

반/디 용어집 사공정 핸들링
TOC계 전유기탄소계 - total organic carbon analyzer

물 속에 녹아있는 유기물을 산화시켜 발생하는 탄산가스를 자동적으로 측정하는 계기. 연구용으로는 습식, 건식의 각 산화방법과 NDIR법(비분산적외선흡수법), 도전율법의 각 측정방법의 조합이 이용되고 있다. 온라인용으로는 UV산화-도전율법 및 산화제에 의한 습식산화법이 이용되고 있다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
Z축위치결정정밀도 - Z axis positioning accuracy

임의의 상승량을 지정하여 Z축을 동작시킬 때의, 칩간 또는 웨이퍼간으로의 상승량의 최대편차.

반/디 용어집 사공정 핸들링

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

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팝핑현상 - poping

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채널링 - channeling

Z - θ 스테이지 - Z - θ stage

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Z축위치결정정밀도 - Z axis positioning accuracy

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