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CAE 입문자도 쉽게 이해할 수 있는 '알기 쉬운 기술 용어집'

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TDR 캘리브레이션 - time domain refractom - try calibration

피측정디바이스의 말단부에 있어서, 높은 시간정밀도를 얻기 위한 캘리브레이션방법. 핀일렉트로닉스에서 디바이스 말단부까지의 신호의 전달시간을 측정하여, 이것의 데이터를 고려하여 각 채널의 타이밍 스캔을 교정한다.

반/디 용어집 기본․공통 사공정
플립칩본딩 - flip chip bonding

플립칩본더로 접합하는 방식.

반/디 용어집 조립공정 본딩
CMP후세정 - cleaning after CMP

CMP(chemical mechanical polishing)에 의해 발생하는 연마 가루를 연마용 돌가루 슬러리(slurry)와 함께 제거하기 위한 세정. 브러시스크럽세정, 메가헤크쯔 대역의 초음파스프레이, 약액에 의한 스핀세정 등이 이용되고 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
전자파측정기 - EMI locator electro - magnetic wave interference equipment

기기에서 진공으로 방사된 전자기 에너지의 전계, 자계성분을 AM검출방식으로 진폭을 측정하여, 그 크기로부터 전계강도를 표시하는 장치. 보통, 전계강도계가 이용되며, 단위는 dB로 표시한다.(1μV/m=0dB)

반/디 용어집 청정실 설비․환경공정
플라즈마 오염 - plasma contaminat - ion

플라즈마 중에 일어나는 오염. 오염물의 생성원인으로써는 식각잔재와 같은 것뿐만 아니라, 장치를 구성하는 재료의 중금속, Na+ 등의 알칼리이온 등이 있다. 오명물이 표면에 퇴적되거나, 내부로 들어가는 경우가 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
LTV - local thickness variation

사이트 TIR의 하나로, 흡착고정 등에 의해, 웨이퍼 뒷면을 교정한 상태에서, 각 사이트마다 측정할 때의 최대두께와 최소두께의 차.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
펜형마커 - pen type masker

고속의 갈바노미터 스캐너를 사용하여, 펜으로 글씨를 써가듯 마킹해가는 방식으로, 마스크가 필요없으며, CAD를 이용하여 어떤 로고․글자도 쉽게 쓸 수 있으나, 마킹면적이 클 경우 생산성이 떨어질 수 있고, 마킹깊이제어(marking depth control)가 어렵다.

반/디 용어집 조립공정 마킹
접지봉 - earth bar grounding bar

보수작업의 안전확보를 위해, 전원을 정지시킨 후에 고전압 터미널 등 고압을 걸어주는 부분을 접지하는 봉.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 도핑
크립피드연삭 - creepfeed grinding

잘라내는 양을 소정의 치수로 고정하여 가공물의 송출속도를 충분히 낮추어 한 대의 버스로 소정의 두께로 연삭하는 것.

반/디 용어집 기계가공 웨이퍼제공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

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플라즈마 오염 - plasma contaminat - ion

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접지봉 - earth bar grounding bar

크립피드연삭 - creepfeed grinding

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