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프리스퍼터링 - pre - sputtering

스퍼터링장치에 있어서, 웨이퍼에 막을 성장시키기 전, 타겟 표면의 오염층(자연산화막을 포함)의 제거와 타겟표면의 안정화를 위해 실시되는 예비 스퍼터링. 보통은 셔터를 닫은 상태에서 스퍼터링한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치
자동용융레벨제어시스템 - automatic melt level control system

쵸크랄스키장치에서 결정을 성장시킬 때, 결정이 성장함에 따라 도가니 안의 용융액면이 낮아지는데, 도가니를 상승시켜 이 용융액면의 상대적 위치를 일정하게 제어하는 시스템. 질 좋은 단결정을 얻기 위해서는 가열히터에 대해 상대적인 용융액면 위치를 일정하게 제어하는 것이 중요하다. 레이저광선을 용융액면에서 반사시켜 그 각도를 일정하게 하는 제어 방법이 주류이다.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 단결정제조
조간이송 시간 - bath - to - bth transport time

습식세정장치의 수조에서 다음의 수조까지 세정대상물을 운반하는 데 필요한 시간.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 습식세정장치
플라즈마박막화법 - plasma assisted controlled thinning method

Si 웨이퍼와 석영유리 등의 각종 재료로 초고정밀도의 평탄도를 요구하는 얇은 판을 가공하는 방법으로써, 표면상태를 측정하면서, 국부적으로 플라즈마로 식각하여 고정밀도로 가공하는 방법.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 폴리싱
SiMOX SOI 웨이퍼 - separation by implatation of oxygen SIO wafer

Si웨이퍼 표면아래 수백㎚로 산소를 이온주입한 후 열처리하고, 산화층을 형성시켜, SOI구조화 한 웨이퍼. 접착 SOI웨이퍼과 비교하면, 박막의 Si층을 만들 수 있다는 장점이 있다.

반/디 용어집 기본․공통 웨이퍼제공정
저에너지 이온주입 장치 - low energy ion implanter

이온에너지(1개 이온)의 최대값이 10keV이하인 이온주입장치.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 도핑
탈기포장치 - membrane deaerator

고분자성 가스 투과막을 삽입하여, 수중에서 녹아있는(용재) 산소를 제거하는 장치. 실리콘계, 테프론계 등의 가스 투과막의 한쪽에 물을 공급하고, 반대쪽을 진공으로 하여, 수중에 녹아있는 산소를 진공쪽에 투과시켜 제거한다. 산소 이외의 용재가스도 제거할 수 있다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
피조간섭계반식 - Fizeau interferometer method

측정하려는 물체 표면에 대해 빛을 수직으로 투사하여, 이 반사광과 기준면에서의 반사광으로 형성된 간섭무늬에 의해, 표면의 평탄도를 측정하는 방법.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
플라즈마분리형 플라즈마 식각장치 - downstream plasma etching system

플라즈마 발생실과 식각실이 분리되어, 플라즈마 발생실에서 생성된 비교적 긴 수명의 중성라디칼을 식각실로 운송하여 웨이퍼를 식각하는 플라즈마 식각장치.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

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