초순수제조장치에 의해 수중의 현탁물질, 용해물질 및 불순물을 고효율로 제거한 높은 고순도의 물. 극미량의 미립자수, 생균수, TOC, 실리카, 용재산소, 금속이온 등이 문제가 된다. 용해물질로써는, 10억분의 1단위(㎍/l) 레벨의 순도가 요구된다. 미립자에 관해서는 최소 패턴치수법의 10분의 1이상 크기의 것이 문제가 된다.
반/디 용어집설비․환경공정물
저향률계 비저항계 - resistivity meter
온도센서를 내장한 한 쌍의 금속전극을 이용하여 용액저항을 측정하는 기구. 물분자의 해리와 전해질이온 등은, 온도의존성을 갖는 것으로 보통 25。C일 때의 환산치를 MΩ․㎝로 표시한다. 0.01MΩ․㎝까지의 분해능을 갖는 계기가 사용된다.
반/디 용어집설비․환경공정물
증발원 - evaporation source
진공증착법에 있어서, 막의 재료가 되는 증발재료를 증발시키기 위한 가열원(加熱源). 저항가열증발원, 전자빔증발원, 유도가열증발원이 대표적인 증발원이다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정진공증착장치
저압식흡착형가스공급시스템 - safety delivery system
용기 안의 충전제에 가스를 물리흡착시키는 것. 장치쪽 챔버와의 압력차에 의해 가스를 흡착제에서 분리시켜 공급한다. 충전압력은 1기압정도이지만, 종래의 같은 용량의 가스소스에 비해 5~10배의 가스량을 공급할 수 있다.
반/디 용어집수질분석기기설비․환경공정
천연연마재 - natural abrasive
연마재로 사용하는 천연광물.
반/디 용어집기계가공웨이퍼제공정
초미분 - fine powder
연마재 중 입자크기가 5㎛ 이하인 것.
반/디 용어집기계가공웨이퍼제공정
주입속도 사출속도 - transfer speed injection speed
열경화성수지가 용융하여 캐비티에 유입되는 속도.
반/디 용어집패키지조립공정
지터측정기 시간분석기 - time analyzer
PLL를 포함한 디바이스에서의 출력데이터에는 타이밍의 미묘한 차이가 포함되어 있다. 이 변동을 계측하는 측정기. 데이터의 표시로서는 σ로써 100ps 등으로 표시된다.
반/디 용어집사공정디버그
플라즈마 손상 - plasma damage
플라즈마를 조사(照射)하는 것에 의한 손상. 이것들은 크게 다음의 3가지로 나눈다. (1) 전극근방에서 발생하는 이온 시스에 의해 가속된 이온과, 웨이퍼와 충돌로 인해 생기는 식각표면의 결합파괴. (2) 방전과 함께 발생하는 플라즈마 중에, 특정한 파장이 웨이퍼에 조사되어 일어나는 이른바 조사손상(照射損傷). (3) 플라즈마 중의 하전입자의 축적에 의한 얇은 절연막(게이트 산화 등)의 정전파괴.