반도체제조용약품을, 공급장치에서 유즈포인트까지 공급하는 배관. 급속불순물의 용출, 미립자발생, 약품에 의한 부식 등을 막기 위해, 용제계약품으로는 스테인레스동배관, 산․알칼리계 약품으로 PFA(테트라플로로에틸렌-퍼플로로알킬비닐에텐 공중합체)튜브가 일반적으로 사용되고 있다.
반/디 용어집설비․환경공정물
셀 - cell
(1)칩 패턴을 형성하는 패턴 데이터의 단위의 명칭으로써, 메모리 패턴 등에 동일한 패턴이 반복하여 배열되어 있는 경우에 반복되는 기본 단위의 패턴. (2)라스터 스캔방식의 전자빔 묘화장치의 라스터 주사(走査)폭과 같거나, 혹은 주사폭을 자연수(自然數)로 나눈 값과 같은 폭을 가지는 띠 모양의 작은 영역을, 편의상 띠의 긴 쪽 방향으로 일정한 단위의 구역으로 나눌 수 있는 대형 영역. 프레임은 이런 대형 영역을 긴 쪽 방향으로 틈새 없이 병렬로 배치한 것의 집합이다. 묘화장치가 가지고 있는 도형 데이터의 기억 또는 화소의 발생을 처리하는 처리용양의 단위와 동일하다.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
배럴형 애싱 장치 - barrel
배치처리형 애싱장치. 원통형의 석영챔버 안으로 반응가스를 도입하고, 또 고주파전력을 인가하여 애싱하는 장치. 전극 모양에는 대향형(對向型)과 동축형(同軸型)이 있다.
반/디 용어집애싱장치웨이퍼처리공정
양면래핑선반 - double side lapping machine
가공물을 지지하는 유성캐리어를 사용하여 이 캐리어를 유성운동( 자전과 공전을 동시에 함)시켜, 상하래핑정반 사이에 가공물을 랩(lap)하는 방식으로 양면을 동시에 가공할 수 있는 장치. 기계의 크기와 캐리어사이즈(인치 수)로 표시한다.
반/디 용어집웨이퍼제공정래핑
액체소스 공급장치 - liquid source delivery system
Si, 금속화합물 등의 액체 소스를 기화시켜 반응실에 일정량을 공급하는 장치. 관용적인 의미의 버블링(bubbling)법. 공급량을 기화가스의 유량으로 제어하는 방법(직접법, direct method)과 액체의유량으로 제어하고, 이후에 기화하는 방법이 개발되어, 반응실의 압력조건과 액제소스의 증기압에 의해 사용법이 나뉜다.
반/디 용어집CVD 장치웨이퍼처리공정
선결함시험 - line defect test
균일광 또는 다크조건에 있어서, 특정의 라인(주로 가로 방향)에 발생하는 결함을 시험하는 것.
반/디 용어집사공정이미지센서 검사장치
생산용진공설비 - process vacuum system
기름회전펌프, 드라이펌프 등의 진공펌프, 진공 탱크 및 배관설비로 구성되어 진공핀셋, 제조장치 등으로 저진공을 공급하는 설비. 박막형성, 식각공정 등에 필요한 고진공은, 제조장치단독으로 설치된 분자펌프, 클라이오펌프 등으로 공급된다.
반/디 용어집청정실설비․환경공정
성장결정최대직경 - growing crystal diameter
결정제조장치의 크기를 나타내는 지표. 실리콘 결정에서는 그 쵸크랄스키장치에 설치할 수 있는 도가니 직경이 1/2.5~1/3의 결정직경을 성장시키는 것이 결정의 양품수율과 결정특성상 좋다.
반/디 용어집웨이퍼제공정단결정제조
미러이미지 - mirror image
서로 거울상의 관계에 있는 패턴으로서 그림의 (a)와 (b) 그리고 (c)와 (d)의 관계가 이것에 해당된다.