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주변부제외영역 - edge exclusion

평탄도규격적용영역 외의 웨이퍼 에지에서의 거리.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
측정분해능 - measurement resolution

측정 치수의 크기를 식별할 수 있는 최소값

반/디 용어집 기본․공통 마스크제조공정
차지업방지 - charge - up elimination

전자선 묘화장치에 패턴을 묘화하는 경우에 전자빔을 레지스트에 조사하면, 차지업이 발생하고 묘화 정밀도가 낮아지는 경우가 있는데, 이것을 방지하는 것. 레지스트가 도전성을 갖게 하는 방법, 레지스트 위에 도전막을 형성하는 방법과 유리기판 위에 투명도전막을 형성하는 등의 차지업 방지방법이 있다.

반/디 용어집 노광․묘화장치 마스크제조공정
초순수배관재 - piping materials for ultrapure water

초순수의 수질을 저하시키지 않고, 유즈포인트에 초순수를 공급하는 배관재. 내면이 매끄럽고, 무기물, 유기물의 용출을 막는 것이 이용된다. 사용재료로써는, 폴리염화비닐(PVC), 폴리프로필렌(PP), 불소수지(PVDF, PTFE, PFA 등), 폴리에테르에네트케톤(PEEK), 폴리페닐렌설파이트(PPS) 등의 수지재료가 많다. 특수표면처리를 한 금속관의 사용도 고려된다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
FPD - focal plane deviation

흡착고정 등에 의해, 웨이퍼 표면을, 평탄하게 교정한 상태에서, 지정된 글로벌 표면기준면에서의, FQA내의 웨이퍼표면에서 최대거리.

반/디 용어집 검사 웨이퍼제공정
활성원자 라디칼 - activated species radical

빛․열 등의 에너지를 흡수하여, 에너지가 높은 상태로 여기시켜, 화학반응을 일으키기 쉬운 상태로 되어 있는 원자와 분자. 식각 가스에 고주파와 마이크로파를 인가하면 플라즈마 중에 발생하고 이것들이 막과 반응하여 식각이 진행된다. 라디칼, 유리기(遊離基) 등으로도 불리운다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
조립분진용공기필터 - coarse particle air filter

주로 5㎛보다 큰 입자를 제거하는 데 이용되는 공기필터. 일반적으로 공기흐름에 대하여 첫 번째 상류에 설치되는 프리필터로써 이용되며, 세정하여 재사용가능한 종류도 있다.

반/디 용어집 가스 설비․환경공정
I/O천이시간 - I/O switching transition

드라이버, 비교기의 두 기능을 구비한 핀일렉트로닉스에 있어서, 드라이버 모드와 비교기 모드로 혹은 반대로 바뀔 때, 걸리는 시간.

반/디 용어집 기본․공통 사공정
콜리메잇 스퍼터링 - collimate sputtering

단차부의 가로세로비(aspect比)가 큰 콘택홀에 막을 성장시킬 때, 밑바닥까지 충분히 박막이 형성되도록, 타겟과 웨이퍼 사이에 격자모양의 판을 삽입하여 강제적으로 수직성분을 높이는 스퍼터링.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 박막형성장치

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

프란틀 수 - Prandtl number

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

유동박리 - flow separation

CFL수 - Courant - Friedrichs...

주변부제외영역 - edge exclusion

측정분해능 - measurement resolution

차지업방지 - charge - up elimination

초순수배관재 - piping materials for ultrapure water

FPD - focal plane deviation

활성원자 라디칼 - activated species radical

조립분진용공기필터 - coarse particle air filter

I/O천이시간 - I/O switching transition

콜리메잇 스퍼터링 - collimate sputtering

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