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식각균일성 - etch uniformity

식각되는 재료간의 식각속도의 차이. 웨이퍼 안의 균일성에 대하여는 보통, 그림에 표시된 웨이퍼의 중심을 포함한 개의 측정점에서의 식각속도에서, 최대값․최소값 또는 편차를 이용하여 다음 식에 의해 구해진다. 1) 최대값․최소값에 의한 경우 C1223 2) 최대값․최소값․평균값에 의한 경우 C1223-2 3) 편차에 의한 경우 C1223-3 C1223-4 C1223-5 웨이퍼간 균일성에 의하여는, 각 웨이퍼마다 개의 측정점에서 상가평균의 식각속도를 산출하여, 장의 최대값․최소값 또는 편차를 이용하여 윗식 (1), (2), (3)로 구한다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
식각실 - etching chamber

식각처리를 하는 진공실. 일반적으로 처리실, 반응실, 또는 챔버라고도 한다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
식각잔재 - etch residue

식각된 웨이퍼 위에 남은 물질. 생성원인으로써는 플라즈마 중합물 등의 저휘발성의 반응생성물, 스퍼터분해물 또는 식각되는 물질 중에서 저휘발성물질 등이 핵이 되어 생긴다. 이것들의 잔재는, 오염과 부식의 원인이 될 뿐만아니라, 소자의 전기적 특성에 악영향을 주는 것이 있다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
양극결합 - anode coupling

한 쌍의 전극 내에, 웨이퍼가 설치된 전극을 접지전극으로 하고, 다른 전극에 고주파를 인가하는 것.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
시즈닝 - seasoning

식각실의 세정(cleaning) 또는 부품교환 후에 공정조건을 안정시키기 위해 여러 번 더미웨이퍼(dummy wafer) 등을 이용하여 식각사이클(etching cycle)을 실시하는 것

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
스트링거 피켓 펜스 - stringer picket fence

단차가 심한 상층막을 이방성 식각할 때, 하층막의 옆면에 상층막의 일부가 벽처럼 남아있는 잔재(residue material). 이것을 없애기 위해서는 오버에칭을 하거나, 추가적인 식각이 필요하다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
반응성이온 (스퍼터) 식각장치 RIE 장치 - reactive ion (sputter) etching system RIE system

반응성가스 플라즈마를 이용한 건식식각 장치에서, 웨이퍼를 식각실내에 설치된 전극 위에 올려놓고 식각하는 장치. 웨이퍼는 중성라디칼과 반응성가스 이온의 상승효과로 식각된다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
언더에칭 - under - etching

식각되는 재료가 식각도중 식각을 중지하는 것, 또는 중지된 상태.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
보잉 - bowing

실리콘의 트렌치식각 등에 측면 방향의 식각이 진행되어 측벽이 굽어 들어간 모양으로 되는 상태. 다음 공정의 CVD 등에 의한 매립에 악영향을 준다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정

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